Завідувач відділу – Драгуновська Ольга Іллівна

Контактний тел.: +38(048)723-63-20,
e-mail:Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. Вам необхідно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

В 2009 році з метою набуття університетом майнових прав на об’єкти права інтелектуальної власності, що створені в результаті його наукової діяльності, охорони результатів наукових розробок університету та сприяння запровадження їх у виробничу сферу був створений відділ з питань інтелектуальної власності Одеського національного університету імені І. І. Мечникова. 

Відділ є науковим підрозділом науково-дослідної частини університету і здійснює свою діяльність в єдиному комплексі наукової, науково-технічної, науково-дослідної діяльності університету, підпорядковується проректору з наукової роботи університету та начальнику Науково-дослідної частини.

Відділ взаємодіє з адміністративними, науковими, навчальними, виробничими та іншими підрозділами університету. У межах своєї компетенції відділ співпрацює з органами виконавчої влади, українськими та іноземними інноваційними інфраструктурами.

Основними завданнями відділу є:

• Забезпечення набуття університетом майнових прав на об’єкти права інтелектуальної власності, що створені в результаті його наукової, науково-технічної та науково-дослідної діяльності, та сприяння введенню їх в господарський обіг.
• Надання працівникам університету і особам, які навчаються, консультативно-правової, інформаційної і практичної допомогу в реалізації ними особистих немайнових и майнових прав на об’єкти права інтелектуальної власності.
• Проведення аналізу результатів наукової, науково-технічної, науково-дослідної діяльності щодо можливості їх відкритого опублікування, використання, експонування.
• Забезпечення реклами наукового та інноваційного потенціалу результатів наукової, науково-технічної та науково-дослідної діяльності.
• Організація та забезпечення сучасних методів управління у сфері інтелектуальної власності, розробка проектів договорів щодо розпорядження майновими правами інтелектуальної власності, стороною яких є університет, участь у переговорах щодо укладання таких договорів, контроль за їх виконанням.

НАБУТТЯ ПРАВ НА ОБ'ЄКТИ ПРОМИСЛОВОЇ ВЛАСНОСТІ в ОНУ

Нормативні документи

• Закон України "Про захист інтересів осіб у сфері інтелектуальної власності під час дії воєнного стану, введеного у звязку із збройною агресією Російської Федерації проти України"
• Положення про відділ інтелектуальної власності
• Закон України Про охорону прав на винаходи і корисні моделі
• Правила складання заявки
• Форма заяви про видачу патенту
• Про внесення змін до постанов Кабінету Міністрів України від 27 грудня 2001 р. № 1756 і від 23 грудня 2004 р. № 1716
• Про внесення змін до Порядку сплати зборів за дії, пов’язані з охороною прав на об’єкти інтелектуальної власності

Корисні посилання

• Бази даних Укрпатент (1)
• Бази даних Укрпатент (2)
• Патентний пошук
• Перелік зарубіжних баз даних, до яких надається безоплатний доступ в Інтернеті

Міжнародна патентна класифікація

• Міжнародна патентна класифікація

ПАТЕНТИ
Одеського національного університету імені І.І. Мечникова

(зареєстровані в Державному реєстрі патентів України у 2020 р.)

(зареєстровані в Державному реєстрі патентів України у 2021 р.)

зареєстровані в Державному реєстрі патентів України у 2022 р.

зареєстровані в Державному реєстрі патентів України у 2023 р.

З метою прискорення розробки інноваційних проектів на основі науково-технічних досягнень університету і трансферу їх у виробничу сферу та сприяння розвитку цивілізованої системи комерціалізації винаходів, корисних моделей та інших об’єктів інтелектуальної власності у 2011 році був створений відділ інновацій і трансферу технологій Одеського національного університету ім. І. І. Мечникова. 

Відділ є науковим підрозділом науково-дослідної частини університету і здійснює свою діяльність в єдиному комплексі наукової, науково-технічної, науково-дослідної діяльності університету,  підпорядковується проректору з наукової роботи та начальнику Науково-дослідної частини. 

Основним завданням відділу є організація та забезпечення комерціалізації результатів наукової та науково-технічної діяльності університету, залучення інвестицій, співробітництво з підприємствами і суб’єктами наукової та науково-технічної діяльності України та іноземних держав, а також сприяння розвитку цивілізованої системи комерціалізації винаходів, корисних моделей та інших об’єктів інтелектуальної власності. 

Відділ взаємодіє з адміністративними, науковими, навчальними, виробничими та іншими підрозділами університету. 

У межах своєї компетенції відділ співпрацює з органами виконавчої влади, українськими та іноземними інноваційними інфраструктурами, підприємствами, установами, організаціями  всіх форм власності, професійними спілками, діяльність яких пов’язана з сферою інтелектуальної  власності. 

У межах своєї компетенції відділ співпрацює з підприємствами, установами, організаціями  всіх форм власності, професійними спілками, діяльність яких пов’язана зі сферою трансферу технологій. 

Забезпечує комерціалізацію об’єктів права інтелектуальної власності, майнові права на які належать університету в Україні та/або в іноземних державах, включаючи: рекламу наукового та інноваційного потенціалу результатів наукової, науково-технічної та науково-дослідної діяльності та товарів; налагодження контактів із підприємствами; аналіз комерційних пропозицій потенційних ліцензіатів та інвесторів; укладення договорів щодо розпорядження майновими правами інтелектуальної власності; розробку проектів установчих документів юридичних осіб, створюваних для реалізації об’єктів права інтелектуальної власності тощо. 

Контактний тел.: +38 048 723-24-63

E-mail: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. Вам необхідно увімкнути JavaScript, щоб побачити її. 

Наукові розробки ОНУ імені І.І.Мечникова

Стартап-Ідея «Комплексний біопрепарат з використанням морських біоресурсів для інтенсивного аграрного виробництва»

Нормативні документи

1. Положення про відділ інновацій і трансферу технологій

Корисні посилання

1. Система вебінарів УкрІНТЕІ
2. РІВНІ ГОТОВНОСТІ ТЕХНОЛОГІЙ TRL

Вісник Одеського національного університету

Збірник наукових праць заснований у січні 1997 року

Біографічна довідка

Зелінський Ігор Петрович, доктор геолого-мінералогічних наук, професор, викладач. Народився 16 липня 1933 р. в м. Первомайську, Миколаївської обл., Україна. Закінчив геологічне відділення Одеського державного університету імені І.І. Мечникова в 1957 р. Старший інженер-геолог (1957 – 1962), начальник управління Протизсувних робіт Одеського облвиконкому (1962 – 1969). Аспірантура Московського державного університету імені М.В. Ломоносова (1970). Старший викладач, доцент, декан геолого-географічного факультету Одеського університету (1970 – 1979). Проректор з наукової роботі Одеського університету (1979 - 1985), ректор ОДУ (1987 - 1995). Професор, завідувач кафедри інженерної геології та гідрогеології (1978 - 1997). Помер І.П. Зелінський 24.10.2002 р. Похований в Одесі.

Зелінський Ігор Петрович, видатний вчений і практик в галузі інженерної геології і гідрогеології, голова національної асоціації інженерів-геологів України, член міжнародної асоціації інженерної геології, член редколегій міжнародних наукових журналів, віце-президент Міжнародної Академії наук Євразії, дійсний член галузевих академій України (інженерних наук, екології, вищої школи). Безпосередньо є автором теоретичних основ і практики здійснення заходів боротьби із зсувами, теорії геодинамічного поля, багатьох методів моделювання в інженерній геодинаміці. Автор і співавтор 130 наукових робіт, в тому числі 15 монографій, підручників і учбових посібників. Під його керівництвом підготовлено 15 кандидатських та 3 докторських дисертації з геолого-мінералогічних і технічних наук. Під його керівництвом сформувався широкий спектр наукових напрямів: тектоніка і історія геологічного розвитку північно-західного Причорномор’я, розробка теорії геодинамічного поля і методу електрогеодинамічних аналогій, вивчення напружено-деформованого стану масивів порід і прогноз стійкості схилів, встановлення просторово-часових закономірностей формування і розвитку небезпечних інженерно-геологічних процесів, вивчення режиму і ресурсів підземних вод.

В межах прикладних проектів під його керівництвом здійснювалось будівництво протизсувних споруд Одеського узбережжя і за участю розроблялись проекти протизсувних і берегозахисних споруд узбережжя Чорного моря в межах України, водозниження і кріплення катакомб території Одеси, а також захисних споруд і заходів в інших регіонах. За фундаментальні дослідження І.П Зелінському у 1996 році була присуджена Державна премія України в галузі науки і техніки, а в 1998 р. – почесне звання Заслужений діяч науки і техніки України.

Інформація оновлена 17.09.2015

Інститут горiння i нетрадицiйних технологiй

Керівний склад ІГНТ ОНУ:

Заступник директора з наукової роботи

Вовчук Якiв Іллiч - кандидат фізико-математичних наук, старший науковий спiвробiтник

Завідувач вiддiлом загальної i теоретичної макрокiнетики

Шевчук Володимир Гаврилович - доктор фізико-математичних наук, профессор

Завідувач вiддiлом енергетичного горiння

Вовчук Якiв Іллiч - кандидат фізико-математичних наук, старший науковий спiвробiтник

Завідувач вiддiлом технологiчного горiння

Полєтаєв Микола Іванович -доктор фізико-математичних наук, доцент

Завідувач вiддiлом структурної макрокiнетики і СВС

Полiщук Дмитро Дмитрович - кандидат фізико-математичних наук, доцент

Історія ІГНТ ОНУ

Інститут горiння i нетрадицiйних технологiй(ІГНТ) був створений 15 квітня 1994 року спiльним наказом Мiнiстерства освіти України та Мiнiстерства машинобудування, вiйськово-промислового комплексу i конверсiї України,на базi декiлькох лабораторiй науково-дослiдної частини та кафедри загальної i хiмiчної фiзики фiзичного факультету Одеського нацiонального унiверситету ім. І.І. Мечникова.

Засновником, науковим керівником і директором Інституту був відомий вчений, академік Академії інженерних наук України, д.ф-м.н., професор Золотко Андрій Ніконович (1994-2014).

Напрямки наукових досліджень:

Макрокінетика горіння.

Експериментальні та теоретичні дослідження механізмів і закономірностей об’ємного займання та запалювання, об'ємного горіння, розповсюдження хвильтління і горіння, і утворення конденсованої фази при факельному горінні в дисперсних системах.

Энергетичне горіння.

Пошук і обґрунтування півищення енергетичної та екологиченої еффективності роботи енергосилових пристроїв при зпалюванні різноманітних палив, в тому числі, низькосортніх палив огранічного походження. Наукове обґрунтування умов і способів забезпечення пожежо- вибухобезпеки при роботах з твердими і рідкими горючими речовинами.

Технологічне горіння.

• Розробка технології газодисперсного синтезу (ГДС) нано- і ультрадисперсних порошків оксидів металів (Al₂O3, ZrO2, TiO2, Fe2O3, MgO, ZnO) в двохфазному полум'ї.
• Розробка технології утилізації відходів виробництв методами створення і зпалення водо-паливних емульсій.
• Розробка технології отримання перспективних люмінофорів і твердих мастил методом саморозповсюджуючогося високотемпературного синтезу (СВС).

Структурна макрокiнетика і СВС.

Єкспериментальне дослідження і теоретичне моделювання фізичних і хімічних процесів твердофазного горіння при СВС-синтезі. Розробка наукових засад і методів керування формуванням продуктів твердофазного горіння із заданими властивостями.

Види горючих матеріалів:

• органічні тверді палива - вугілля, в тому числі, високозольне, торф, сланці, деревина, низькокалорійні відходи переробки сільськогоподарчої продукції;
• органічні рідкі палива - натуральні і штучні, в тому числі, біопалива і водопаливні емульсії;
• метали -Mg, Al, Ti, Zr, Zn, Mo та інші, їх суміші та сплави.

Види дисперсних систем:

• одиночні частинки та краплі,
• пористі системи, в тому числі, штучні конгломерати та агломерати частинок;
• газозависи частинок і крапель, в тому числі, гібридні суміші, які містять конденсоване та газове палива;
• твердофазні суміші для СВС-процесу.

Характеристики об’ємного займання та запалювання, об’ємного горіння та розповсюдження хвиль, що визначаються:

• мінімальні температури займання, час затримки займання;
• мінімальні енергії запалювання;
• нижній та верхній концентарційні межі розповсюдження полум'я;
• час горіння;
• структура та швидкість розповсюдження хвиль горіння в ламінарному, вібраційному і турбулентному полум'ї в газозависі, а також хвиль тління у пористих матеріалах, хвиль твердофазного горіння;
• структура і параметри факелу диспергованих твердих горючих.

Методи дослідження і впливу на займання і горіння дисперсних систем:

• Гравіметрія.
• Спектральні методи визначення складу і теператури фаз при горінні.
• Рентгенофазний і рентгеноструктурний аналіз продуктів горіння.
• Акустичні та електромагнітні методи впливу на двофазне полум'я.

Основні наукові результати і розробки:

Фундаментальні досліження

Отримані фундаментальні знання про зв‘язок механізму горіння пилу металу з процесами фазоутворення конденсованих продуктів згорання в умовах цілеспрямованного енергозберігаючого синтезу нанорозмірних оксидів металів для потреб новітніх нанотехнологій і виявлені найбільш значимі параметри дисперсної системи та оточуючого середовища, сумісна дія яких визначає дисперсні та фазові характеристики продуктів згорання металів у пиловому ламінарному полум‘ї. Показано, що зону горіння пилового факелу необхідно розглядати як низькотемпературну комплексну плазму - електрони, позитивно та негативно заряджені іони, заряджені частинки конденсованої фази. Вперше для досліджуваних дисперсних систем експериментально отримана і теоретично пояснена залежність дисперсного складу продуктів газодисперсного синтезу від концентрації малих легко іонізуючихся домішок до вихідного металу.

Побудована теорія займання однофазних гомогенних та двофазних дисперсних систем, яка дозволяє з прийнятною для практичних потреб точністю прогнозувати динаміку розвитку теплового вибуху та визначати його критичні умови і час затримки при зростанні вмісту газоподібного палива і слугує фундаментальною основою для розробки засобів попередження вибухів пилогазових сумішей пилу, в тому числі, і сумішей вугілля з метаном, а також цілеспрямованого управління процесами спалювання органічних палив. В рамках стаціонарної теорії розповсюдження полум'я у газозависі частинок твердого палива проаналізовано залежність співвідношення кондуктивної і радіаційної складових передачі тепла від зони горіння хвилі до зони її прогріву від параметрів газозавису та визначено вплив цього співвідношення на значення нормальної швидкості хвилі горіння, отримано аналітичні вирази для розрахунку нормальної швидкості полум’я у аерозависі твердого горючого, які одночасно враховують як радіаційний, так і кондуктивний механізм передачі тепла у хвилі, різницю в швидкостях та температурах твердої та газової фаз, і описують залежність нормальної швидкості від концентрації та розміру частинок горючого, а також концентрації окислювача.

Прикладні розробки

Газодисперсний синтез нанопорошків оксидів тугоплавких металів

Автори: Золотко А.Н., Вовчук Я.І., Полєтаєв М.І.

Газодисперсний синтез (ГДС) - новий високопродуктивний метод отримання хімічно чистих (>99.7 %) гранулометрично вузьких, сферичної форми, добре дезагрегованих нанопорошків з середнім розміром часток в діапазоні 20-100 нм оксидів алюмінію, цирконію, титану, цинку, заліза та ін. В основі методу лежить спалювання в спеціально організованих двохфазних пламенах газозависів часток відповідних металів (чистих металів, механічних сумішей або сплавів різних металів). Цільовий продукт утворюється в результаті конденсації газофазних продуктів горіння металів в окислюючому середовищі.

Основні переваги методу ГДС: метод є економічним з точки зору енергозатрат, неперервним, одностадійним і, високопродуктивним. Отримані цим методом наноматеріали можуть використовуватися при виготовленні нових типів кераміки та композитних матеріалів, пігментів, абразивних матеріалів, каталізаторів. Методом ГДС синтезовано порошок ZnO, для якого характерна інтенсивна люмінесценція в синій області видимого спектру (на довжинах хвиль 384 та 395 нм) при відсутності люмінісценціі в зеленій області.

Штучний дисульфід молібдену – найефективніше тверде мастило

Автори: Золотко А. Н., Писарський В. П., Вовчук Я.І., Черкес С. І.

Штучний дисульфід молібдену синтезується при горінні методом високотемпературного синтезу, що само поширюється. У процесі синтезу дисульфід молібдену легується цинком, що приводить до збільшення міжшарових відстаней у кристалі MoS₂. Це забезпечує у порівнянні з природним дисульфідом молібдену зменшення коефіцієнту тертя практично вдвічі, а середньої інтенсивності зносу пари тертя – майже в 10 разів. Тому за своїми мастильними якостями штучний дисульфід молібдену не має аналогів. Порошкоподібний штучний дисульфід молібдену може використовуватися як сухе тверде мастило, додаватися до моторних олив у вигляді присадки MOLYCAR^®, а також як присадка до консистентних мастильних матеріалів.

ОСНОВНІ ПЕРЕВАГИ ПРИСАДКИ MOLYCAR^®

• зменшення питомої витрати палива на 1 кВт потужності в середньому на 6,4 % максимально – до 15%;
• збільшення тиску олії в головній масляній магістралі в середньому на 5%;
• підвищення максимального ефективного крутильного моменту двигуна і його потужності в навантажувальних режимах не менш чим на 2 %;
• збільшення в 2 рази міжремонтнного періоду і загального терміну роботи двигунів;
• зменшення в 2-4 рази кількості викидів шкідливих речовин (СО, С) - при роботі двигунів внутрішнього згоряння.

Саморозповсюджучийся висотемпертурний синтез (СВС) люмінофорних матеріалів на основі цинку та сірки

Автори: Золотко А. Н., Писарський В. П., Поліщук Д.Д., Черкес С. І.

Люмінофорніматеріалина базі сполук цинку та сірки синтезуютьсмя методом СВС. Варіації способу організації процесу горіння у хвилі СВС забезпечується можливість отримання цільового продукту як у вигляді литого виробу наперед заданих розмірів, так і вигляді порошку.У процесі

ОСНОВНІ ПЕРЕВАГИ СВС-люмінофорів

Сульфід цинкупри синтезіможе бути легованим різноманітними елементами і сполуками – мідь, срібло, хлор, марганець та інш., що дозволяє отримувати люмінофори зі світінням у зеленій, синій, жовтій та червоній областях спектру.

Список основних публікацій:

1. Полетаев Н.И., Флорко А.В. Спектральные исследования газового компонента пылевого факела частиц алюминия. "Физика горения и взрыва". 2008. Т.44. № 4. С.72-79^.
2. Doroshenko Y.A., Poletaev N.I. About possibility of production of metal oxide spinel nanopowders by the method of gas-dispersed synthesis. 32 ^nd International Symposium on Combustion. – MCGill University, Montreal, Canada. August 3 – 8. 2008. - W4PO10.
3. Poletaev N.I., Florko A.V., Doroshenko Y.A. Electrical oscillations in the combustion zone of dusty flame. 32 ^nd International Symposium on Combustion. – MCGill University, Montreal, Canada. August 3 – 8. 2008. W4PO91.
4. Полетаев Н.И. Электрические колебания в зоне горения пылевого пламени. Сб. Современные проблемы химической и радиационной физики, под ред. Асовского И.Г., Берлина А. А., Манелиса Г.Б., Мержанова А.Г. – Москва, Черноголовка: ОИХФ РАН. 2009. С. 66-70.
5. Полетаев Н.И. Определение времени горения частиц горючего в асимметричном ламинарном факеле. Сб. Современные проблемы химической и радиационной физики, под ред. Асовского И.Г., Берлина А. А., Манелиса Г.Б., Мержанова А.Г. – Москва, Черноголовка: ОИХФ РАН. 2009. С. 175-178.
6. Полетаев Н.И., Дорошенко Ю.А. Влияние параметров пылевого факела частиц металлов на дисперсные характеристики продуктов сгорания. Сб. Современные проблемы химической и радиационной физики, под ред. Асовского И.Г., Берлина А. А., Манелиса Г.Б., Мержанова А.Г. – Москва, Черноголовка: ОИХФ РАН. 2009. С. 179-182.
7. Doroshenko J.A., Poletaev N.I., and Vishnyakov V.I. Dispersion of dust sizes in the plasma of aluminum dust flame. "Physics of Plasmas"2009. Т. 16. №9.
8. Коваль Л.А. ,Флорко А.В., Вовчук Я.И. Излучательные характеристики бора и борного ангидрида при высоких температурах. "Физика горения и взрыва" 2010. Т .46. №2. С. 68.
9. Кондратьев Е.Н., Опятюк В.В. Времена горения частиц при микровзрывах капли водотопливной эмульсии. "Горение и плазмохимия" 2010. Т. 8. № 3. С. 220.
10. Дараков Д.С., Копейка А.К., Головко В.В., Золотко А.Н. Критические условия воспламенения рапс-метилового эфира и дизельного топлива. Труды V Российской национальной конференции по теплообмену. – Москва, МЭИ. 2010. С. 184-186.
11. Вовчук Я.И., Рогульская О.С. Критические условия воспламенения гибридных газовзвесей. Труды V Российской национальной конференции по теплообмену. – Москва, МЭИ. 2010. С. 157-160.
12. Sidorov A. E. , Shevchuk V. G. Laminar Flame in Fine-Particle Dusts. "Combustion, Explosion, and Shock Waves" 2011. V. 47. №5. Р. 518–522.
13. Poletaev N. I., Zolotko A. N., Doroshenko Yu.A. Degree of dispersion of metal combustion products in a laminar dust flame. "Combustion, Explosion, and Shock Waves" 2011. V. 47. № 2. Р. 153-165.
14. Dotsenko V.H., Berezovskaya I. V., Zubar E. V., Efryushina N. P., Poletaev N.I., Doroshenko Yu.A., Stryganyuk G.B., Voloshinovskii A.S. Synthesis and luminescent of Ce3+-doped terbium-yttrium aluminum garnet. "Journal of Alloys and Compaunds" 2013. V. 550. P. 159-163.
15. Poletaev N. I., Doroshenko Yu. A. Effect of addition of potassium carbonate to aluminum powder on the grain size of Al2O3 nanoparticles formed in the laminar dusty flame. "Combustion, Explosion, and Shock Waves" 2013. V. 49, № 1. Р. 26-37.
16. Berezovskaya I. V., Zadneprovski B.I ., Poletaev N.I., Doroshenko Yu.A., Efryushina N. P., Zubar E. V., Dotsenko V.H. Luminescence Properties of Ce3+-doped terbium- aluminum Phosphor prepared with use of nanostructured reagents. "Journal of Nano- and Electronic Physics" 2013. V.5 № 1.
17. Сидоров А.Е., Шевчук В.Г., Кондратьев Е.Н. Кондуктивно-радиационная модель ламинарного пламени в пылях. "Физика горения и взрыва" 2013. Т.49, №3. C.3-10.
18. Опарин А.С., Шевчук В.Г. Экстремальные характеристики теплового взрыва газовзвесей. "Горение и плазмохимия" 2013. Т.10. №2. С.3-10.
19. Вовчук Я.И., Рогульская О.С., Симулина О.В. Воспламенение гибридной системы. I. Критические условия. "Горение и плазмохимия" 2013. Т 11. №2. С. 121-128.
20. Poletaev N. I., Zolotko A. N., Doroshenko Yu.A., Khlebnikova M.E. Smoke plasma in dust. "Ukrainian Journal of Physics" 2014. V. 59. № 4. Р. 379-384.

Адреса, контактнідані:

Одеса, вул.Довженка, 7 б

тел. +380 482 633 633

Е-mail: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. Вам необхідно увімкнути JavaScript, щоб побачити її., Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. Вам необхідно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Інформація оновлена 17.09.2015

Історичний нарис НДИ физики

Інформація оновлена 17.09.2015

На початку 70-х років минулого сторіччя на щойно заснованій відомим фахівцем з фізики напівпровідників проф. В.О.Пресновим кафедрі фізичної електроніки плідно працювала науково-дослідна ґрупа. Професор Преснов раніше керував великим електронним підприємством ВПК у місті Томську, отже головним науковим напрямом нової кафедри стало комплексне вивчення напівпровідників. Кафедральна науково-дослідна ґрупа під керівництвом молодого тоді доцента В.К.Баженова виконувала госпдоговірні роботи для низки закритих підприємств мм. Москви і Зеленограду. Здійснювалися дослідження електронних властивостей напівпровідників і діелектриків зі складною кристалічною структурою, вивчався вплив дефектів і невпорядкованості на властивості, що важливі для застосування цих речовин у електронній промисловості. За результатами досліджень було захищено кандидатські дисертації науковими співробітниками М.Г.Фойгелем, В.В.Тимофієнком, В.І.Солошенком, А.Г.Пєтуховим, Ю.К.Марколенком, І.К.Дойчо, В.Я.Альтшулем; було підготовано кандидатів наук для Сирії, Єгипту, Болгарії, Алжиру, Тунісу. На початку 80-х років доцент В.К.Баженов захистив докторську дисертацію і переїхав до міста Херсону, де очолив кафедру загальної фізики в педаґоґічному інституті, М.Г.Фойгель, А.Г.Пєтухов та В.Я.Альтшуль перейшли на роботу до НДІ фізики, В.В.Тимофієнко та Ю.К.Марколенко пішли на викладацьку роботу до Одеського електротехнічного інституту зв’язку. В.І.Солошенко трохи раніше став доцентом кафедри фізичної електроніки і почав суміщати науково-дослідну роботу із викладацькою діяльністю. Кафедральну науково-дослідну ґрупу було підсилено проґрамістом к.ф.-м.н. В.О. Воробйовою та кандидатом фізико-математичних наук Я.О.Ройзіним, що приїхав з ІФН СВ АН СРСР (м. Новосибірськ). Я.О.Ройзін привіз із собою низку нових методик дослідження МДН-структур і тонких плівок, а також обладнання, необхідне для здійснення цих досліджень. Було виконано госпдоговірні роботи як для традиційних наукових партнерів з Москви та Зеленограду, так і для одеських НДІ «Шторм» і «Темп». Роботи було присвячено приладобудуванню та впровадженню нових вольт-фарадних методик дослідження тонких плівок нітриду кремнію на підприємствах-замовниках.

З 1985 р. кафедру фізелектроніки очолив проф. М.П. Коваленко, і почав розвиватися новий науковий напрям – вивчення фізичних властивостей некристалічних речовин: аморфних напівпровідників і діелектриків, металічних стекол. У 1985 р. підчас реорґанізації НДЧ Одеського держуніверситету з створеної 15 років тому професором Пресновим галузевої науково-дослідної лабораторії фізичних основ електронної техніки (ФОЕТ) виділилася нова структурна одиниця – лабораторія проблем якості й надійності елементів радіоелектронної апаратури (керівник О.П.Канчуковський), і кафедральну науково-дослідну ґрупу було включено до неї на правах науково-дослідного сектору некристалічних систем мікроелектроніки, який очолив Я.О.Ройзін. У лабораторії розроблялися фізичні основи і технологія виготовлення нового покоління первинних перетворювачів фізичних величин як елементної бази приладобудування і мікроелектроніки, а також всіляких оптико-електронних систем для відображення та обробки інформації.

Сектор некристалічних систем мікроелектроніки зберіг певну автономність і тісний зв’язок із кафедрою фізелектроніки. У 1987 р. лабораторію проблем якості й надійності елементів радіоелектронної апаратури було перетворено у СКТБ "Контакт", і сектор некристалічних систем мікроелектроніки був суттєво підсилений великою ґрупою фахівців найвищої кваліфікації, що перейшли з НДІ фізики. Це були проф. М.Г.Фойгель, що захистив на той час докторську дисертацію, кандидати фізико-математичних наук Л.Ю.Стис, А.Г.Пєтухов, Б.С.Вакаров, Л.В.Цибесков, А.С.Шевельова, В.П.Кушнир і кілька співробітників без наукового ступеню. У 1989 році за ініціативою М.П.Коваленка сектор було перетворено в лабораторію некристалічних систем електроніки (НДЛ-11), яку очолив к.ф. м.н. Я.О. Ройзін. До штату лабораторії було включено два фахівця-оптика: відомий голоґрафіст к.ф.-м.н. А.В.Алексєєв-Попов і експериментатор найвищої кваліфікації С.А.Гевелюк. В лабораторії НДЛ-11 і на кафедрі фізики твердого тіла і твердотільної електроніки (до 1992 р. – кафедра фізичної електроніки) склалося вдале сполучення тематик і фахівців у галузі фізики некристалічного стану конденсованих середовищ. Традиційні для фізичного факультету теоретичні та експериментальні дослідження в галузі фізики рідин (М.П. Коваленко) було розширено роботами в галузі некристалічних напівпровідників на базі кремнію (Я.О. Ройзін). В 70 ті роки внаслідок численних видатних наукових, технологічних і експериментальних досягнень аморфні напівпровідники привернули до себе увагу як до особливого розділу фізики твердого тіла. Можливість створювати тонкі плівки великої площі у сукупності із електронними властивостями цих матеріалів, що мають практичну цінність, відкрила аморфним напівпровідникам шлях у різні галузі техніки. Це торкається, насамперед, тих приладів і пристроїв, у яких великі площі поверхні являються обов’язковою умовою, наприклад, у сонячних батареях, а також в системах передавання й відтворення зображень (світлочутливі екрани, електрофотоґрафічні пристрої). Застосування аморфних металічних сплавів обумовлюється їхньою високою міцністю і корозійною стійкістю, зносостійкістю, пластичністю тощо.

За порівняльно короткий термін співробітниками оновленої кафедри і лабораторії НДЛ-11 було здобуто низку фундаментальних і прикладних результатів, що мають принципове значення як для фундаментальної фізики твердого тіла, так і для практичних застосувань. Проаналізовано фізичні процеси, що визначають стабільність і надійність приладів твердотільної електроніки, що використовують аморфні напівпровідники та діелектричні шари. Розроблено унікальні системи для контролю параметрів твердотільних структур, зокрема скануючі системи для контролю однорідності, що використовують скануючі ртутні і лазерні зонди малих розмірів, голоґрамні оптичні елементи і ориґінальні електровимірювальні прилади. Здійснено комплексні дослідження у галузі фізики сонячних батарей на базі аморфного гідрованого кремнію, які являються одним з найбільш перспективних екологічно чистих та економічних джерел електроенерґії. Було виконано госпдоговірні роботи з виготовлення ефективних сонячних елементів з аморфного гідрованого кремнію на гнучких підкладках з аморфних металів. Під керівництвом доктора медичних наук професора В.В.Тринчука, що перейшов на роботу до лабораторії з НДІ очних хвороб ім. В.П.Філатова, було розпочато дослідження застосовності розроблених в лабораторії методик в офтальмологічній діаґностиці. Завідувач НДЛ-11 Я.О.Ройзін захистив докторську дисертацію і став професором. Співробітниками лабораторії В.С.Василенком, В.М.Свиридовим та С.А.Гевелюком були захищені кандидатські дисертації; було підготовано кандидатів наук для В’єтнаму, Іраку, КНДР.

Після здобуття Вкраїною незалежності полегшали міжнародні контакти лабораторії. Склалося тісне партнерство із Інститутом фізики Вроцлавської політехніки. Це поширило коло наукових інтересів лабораторії на шпаристі структури. Польські партнери безоплатно постачали зразки шпаристих стекол для досліджень, що дозволило лабораторії стати однією з провідних у країні з вивчення як шпаристих стекол, так и інших шпаристих сполук на базі кремнію. Труднощі фінансування стимулювали також хвилю еміґрації, і на протязі 4-х років М.Г.Фойгель, Л.Ю.Стис, А.С.Шевельова, А.Г.Пєтухов, Л.В.Цибесков та А.В.Алексєєв-Попов переїхали на роботу до США і зараз відіграють провідні ролі у своїх закладах. В.В.Тринчук зайнявся медичною практикою у Об’єднаних Арабських Еміратах. У 1996 році завідувач лабораторії проф. Я.О.Ройзін поїхав на роботу на посаду головного інженера компанії Tower Semiconductor Ltd. (Ізраїль) і лабораторію очолив кандидат фізико-математичних наук Дойчо І.К. Це відомий фахівець в зонній теорії і знавець структурних властивостей твердих тіл. Зараз лабораторія виконує наукові дослідження на замовлення Міністерства науки та освіти України, що фінансуються з держбюджету. У межах цих досліджень розроблено ориґінальні напівпровідникові давачі для використання у системах екологічного контролю, у різних розділах експериментальної фізики і медицини, зокрема давачі вологості, акустоелектронні перетворювачі, електрохромні індикатори, давачі водню, імпедансометричні давачі для застосування у медичній діаґностиці тощо.

Виявлено нові фундаментальні закономірності в аморфних твердих тілах. Продемонстровано принципову роль мікрошпарин і кремнієвих кластерів у протіканні фізичних процесів у аморфних матеріалах на базі кремнію. Виявлені закономірності стимулювали комплексні дослідження низькорозмірних шпаристих систем. Співробітники лабораторії спромоглися з нового несподіваного боку підійти до проблем одного з найперспективніших матеріалів твердотільної електроніки – шпаристого кремнію. Оптоелектронні пристрої на його базі відзначаються сумісністю зі стандартними технологіями кремнієвої мікроелектроніки. Під час виконання цих робіт було отримано принципово нові матеріали – кварцові шпаристі стекла із вкрапленнями. Фрактальна природа цих систем, мезоскопічні ефекти, що виявляються підчас вимірювань, а також ефекти самоорґанізування, що їх реєструють у деяких випадках, роблять їх найцікавішими для фундаментальних досліджень матеріалами твердотільної електроніки.

Наприкінці 2002 року керівник наукового напряму лабораторії професор М.П.Коваленко звільнився з університету і науковим керівником НДЛ-11 став проф. В.Т.Мак, фахівець у галузі радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів. Під керівництвом професора Мака виконуються дослідження радіаційної стійкості шпаристих речовин, впливу опромінення малими дозами на структурні і люмінесцентні властивості шпаристих напівпровідників і стекол та на еволюцію цих властивостей підчас зберігання. Вивчається роль кристалічної орієнтації кремнієвої пластини на механічні і фотолюмінесцентні властивості створеного на ній шпаристого шару. Досліджується вплив вологості довкілля на лінійні розміри шпаристих зразків із використанням ориґінальної інтерферометрічної методики, що її розроблено в лабораторії. Застосування шпароскопічної методики дослідження розподілення шпарин за розмірами дозволяє детальніше простежити морфологію внутрішньої поверхні шпаристих середовищ. Вивчається застосовність шпаристих стекол у очному протезуванні.

Пристрої та системи, що їх розроблено у НДЛ-11, захищені понад 20 авторськими свідоцтвами і патентами. Співробітниками лабораторії надруковано понад 200 статей у міжнародно-визнаних виданнях. Результати робіт багаторазово доповідалися як в Україні (і колишньому СРСР), так і на міжнародних конференціях і симпозіумах в багатьох країнах, де були схвалені фахівцями та бізнесменами. З 1998 року розробки лабораторії реґулярно беруть участь у виставках різного рівня.

Лабораторія підтримує безпосередні наукові контакти із багатьма провідними центрами в Україні та за її межами за вищезазначеною тематикою. Найбільш плідним є співробітництво із Інститутом Фізики НАН України, Інститутом Ядерних досліджень НАН України, Інститутом Напівпровідників НАН України, Вроцлавською політехнікою (Польща); суттєву технічну підтримку надають Tower Semiconductor Ltd. (м.Афула, Ізраїль), Єрусалимський та Беєр-Шевський університети (Ізраїль).
Лабораторія бере активну участь в учбовому процесі. Результати наукових розробок впроваджуються у вигляді удосконалень лекційних курсів і практичних занять. Силами співробітників лабораторії всі роки її існування забезпечуються лекційні курси і спеціальні практикуми на фізичному факультеті. У різні роки викладацькою діяльністю займалися і займаються проф. Я.О.Ройзін, проф. М.Г.Фойгель, доц. В.П.Кушнир, доц. І.К.Дойчо, доц. С.А.Гевелюк, доц. В.С.Василенко, к.ф.м.н. В.О.Воробйова. Співробітники лабораторії постійно керують аспірантами, курсовими та дипломними роботами студентів кафедри, а також виробничою практикою.

Всеукраїнський конкурс студентських наукових робіт «Економіка та управління національним господарством» - 2021-2022 навчальний рік

• Наказ МОН «Про проведення Всеукраїнського конкурсу студентських наукових робіт з галузей знань і спеціальностей у 2021/2022 навчальному році» від 05.11.2021 №1179 
• Положення про Всеукраїнський конкурс студентських наукових робіт з галузей знань і спеціальностей
• Інформаційний лист
• Рейтинговий список за результатами рецензування наукових робіт
• Рецензії на наукові роботи
• Роботи переможців Конкурсу
• Підсумкова онлайн-конференція (групи)
• Результати онлайн-конференції
• Переможці всеукраїнського конкурсу наукових робіт
• Номінації
• Наказ про результати конкурсу

Всеукраїнський конкурс студентських наукових робіт
«Економіка та управління національним господарством» - 2020-2021 навчальний рік

• Положення про Всеукраїнський конкурс студентських наукових робіт з галузей знань і спеціальностей
• Інформаційний лист
• Рейтинговий список за результатами рецензування наукових робіт

29-30 КВІТНЯ - ПІДСУМКОВА КОНФЕРЕНЦІЯ ОНЛАЙН (ГРУПИ)

• Результати онлайн-конференції
• Переможці всеукраїнського конкурсу наукових робіт
• Номінації
• Наказ про результати конкурсу

Всеукраїнський конкурс студентських наукових робіт

«Економіка та управління національним господарством» - 2019-2020 навчальний рік

• Рейтинговий список за результатами рецензування наукових робіт
• Оголошення результатів рецензування наукових робіт
• Рішення галузевої комісії про визнання переможців Конкурсу
• Рішення галузевої комісії щодо номінації Конкурсу
• Наказ про результати Конкурсу

Програма 80-ї звітної студентської наукової конференції Одеського національного університету імені І.І. Мечникова

Програма 79-ї звітної студентської наукової конференції Одеського національного університету імені І.І. Мечникова

Перелік наукових конференцій здобувачів вищої освіти та молодих учених в   

 Одеському національному університеті імені І.І. Мечникова на 2024 рік  

Перелік наукових конференцій здобувачів вищої освіти та молодих учених на 2024 рік 

(Одеський національний університет імені І.І. Мечникова – співорганізатор конференцій)

Міжнародні конференції

Всеукраїнські конференції

Інформація оновлена 17.09.2015

Лабораторія напівпровідникової електроніки

Завідувач лабораторії – канд. фіз.- мат. наук, ст. наук. співр. Скобєєва Валентина Михайлівна

Контактна інформація:

• e-mail Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. Вам необхідно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Історічні відомості

Лабораторія напівпровідникової електроніки була створена у 1970 р. Науковий напрямок лабораторії був орієнтований на розробку гетерофотоелементів, світодіодів, лазерів з метою створення нової елементної бази для функціональної мікроелектроніки. Був сформований новий науковий напрямок твердотільної електроніки, пов”язаний із дослідженням гетероструктур з квазіметалевими центрами. У цьому ж році до складу лабораторії було введено науково-дослідну групу, яка була створена у 1960 році при кафедрі експериментальної фізики ії завідувачем доцентом Сьорой Т.Я. Колектив групи, один із перших в колишньому Радянському Союзі, започаткував дослідження фотоелектричних и люмінесцентних властивостей напівпровідників групи А2В6. 
Штат лабораторії включав більш ніж 20 співробітників, 13 з яких мали вчену ступінь кандидатів наук.

Завідувачі лабораторії напівпровідникової електроніки:

1. З 1970 г. по 1973 г. - канд. фіз.-мат. наук Дроздов В.О.
2. З 1973 г. по 1976 г. - канд. фіз.-мат. наук Курмашев Ш.Д.
3. З 1976 г. по 1989 г. - канд. фіз.-мат. наук Старостін І.А.
4. З 1989 г. по теперішній час - канд. фіз.-мат. наук Скобєєва В.М.

Наукові керівники тем, які виконувались в лабораторії напівпровідникової електроніки:

1. З 1970 г. по 1975 г. - канд. фіз.-мат. наук Дроздов В.О.
2. З 1970 г. по 1994 г. - докт. фіз.-мат. наук, проф. Сердюк В.В.
3. З 1994 г. по теперішній час - докт. фіз.-мат. наук, проф. Сминтина В.А.

Наукова та практична діяльність

Напрямок наукових досліджень і їх актуальність

Дослідження оптичних та люмінесцентних властивостей квазінульмірних систем з нанокристалами сполук А2В6. Вивчення впливу поверхні розділу нанокристал-матриця на оптичні та люмінесцентні характеристики наноструктур.

Дослідження впливу стану поверхні на механізм рекомбінаційних процесів у нанокристалах, а також впливу границі розділу нанокристал – матриця на концентрацію вільних нерівноважних носіїв заряду дозволить створити нові люмінесцентні матеріали, які здатні змінювати спектр та інтенсивність випромінювання в залежності від типу адсорбованих молекул.

Напівпровідникові нанокристали є важливим класом нових матеріалів. В залежності від розміру спектри оптичної прозорості та фотолюмінесценції нанокристалів сполук А2В6 охоплюють широку область спектра - від ультрафіолетової до інфрачервоної. Через це є перспективним використання наноматеріалів у якості оптичних фільтрів, фосфорів у світловипромінювальних пристроях, оптичних та біологічних сенсорах.

Спектральний інтервал работы напівпровідникових пристриїв на основі наноматериалів досягається шляхом контролювання тільки розмірів нанокристалів, що робить такі наноструктури універсальними.

Основні наукові результати

Вперше синтезовані нанокристали сульфіду кадмію у желатиновій матриці, які проявляють квантово - розмірні ефекти, що обумовлює їх унікальні оптичні та люмінесцентні властивості. Проведено теоретичні розрахунки енергетичного спектра носіїв заряду у нанокристалах сульфіду кадмію, одержаних у прозорій діелектричній матриці.

Обгрунтовано фізико-хімічний механізм утворення нанокристалів сульфіду кадмію. Встановлено, що в процесі синтезу здійснюється ріст нанокристалів із збільшенням їх розмірів і, одночасно, зменшується дисперсія по розмірах за механізмом Оствальда.

Вперше показано, що механізм формування і росту нанокристалів на різних стадіях процесу синтезу обумовлюється протіканням конкуруючих реакцій між іонами кадмію з функціональними групами желатини або з іонами сірки, причому розмір і дисперсія нанокристалів найбільш суттєво залежать від концентрації желатини.

Запропонований оптичний метод визначення фізичних параметрів (середнього радіусу, ширини забороненої зони) нанокристалів сульфіду кадмію у прозорих діелектричних матрицях, який має перевагу перед іншими методами (рентгеноструктурними, хімічними, електронно-мікроскопічними) завдяки більшій точності та експресності.

Вперше проведено порівняльний аналіз люмінесцентних характеристик об’ємних монокристалів і нанокристалів сульфіду кадмію, в результаті чого встановлено, що центри випромінювальної рекомбінації формуються вже на початковій стадії зародження кристалу.

Показано, що перерозподіл інтенсивностей смуг люмінесценції в результаті дії зовнішних факторів (вологості повітря, УФ-опромінювання, температурних обробок у вакуумі) є пов’язаний не зі зміною концентрацій чи типу центрів світіння, а із зміною концентрацій вільних нерівноважних носіїв заряду.

Встановлено, що різне положення максимуму довгохвильової смуги люмінесценції, яка локалізована в інтервалі довжин хвиль 550÷700 нм, обумовлено дисперсією розмірів нанокристалів сульфіду кадмію, а не різною природою центрів світіння.

Встановлена залежність інтенсивності люмінесценції від концентрації нанокристалів у матриці, що пов’язано з процесами переносу енергії між нанокристалами, тобто при великій концентрації нанокристалів у матриці спостерігається безвипромінювальний процес переносу енергії між сусідніми нанокристалами, в результаті чого ефективність люмінесценції зменшується.

Вперше показано, що люмінесценція наноструктур сульфіду кадмію, які отримані новим методом – методом фронтальної полімерізації металополімерів в присутності халькогенідних сполук, є стабільною до УФ – опромінення і атмосферного оточення через те, що атоми кадмію входять у молекулярну формулу матриці і не можуть приймати участь у процесах окислення, як це спостерігається, при деяких умовах, в методах золь – гель технології.

Вперше вивчено кінетику фотопровідності нанокомпозитів на основі сульфіду кадмію у желатині та встановлено наявність і параметри уловлювачів, які мають поверхневу природу. На основі теоретичної моделі, яка описує релаксацію фотоструму, та порівняння теоретичних і експериментальних релаксаційних кривих дана оцінка параметрів уловлювачів.

Практичні розробки

I. Технологія виготовлення газових сенсорів на основі тонких плівок сполук А2В6

Автори: докт. фіз.-мат наук, проф. Сминтина В.А., канд. фіз.-мат наук, ст наук співроб. Скобєєва В.М., канд. фіз.-мат наук, ст наук співроб. Малушин М.В.

Основні характеристики, суть розробки

Розробка належить до технології матеріалів твердотільної електроніки і може бути вико ристана при виготовленні електронних сенсорів на базі оптично якісних плівок селеніду і телуриду цинку. Плівки телуриду цинку та твердих розчинів ZnSexТе1-x мають адсорбцій ну чутливість до кисню і, внаслідок цього, можуть бути використані у якості основи для виготовлення сенсорів кисню.

Основні технічні характеристики:

• питомий опір плівок, Ом ·см ........................................................................... 107 -109
• адсорбційна чутливість (відношення провідності плівок у кисні до провідності у вакуумі)... ........... 103
• габаритні розміри, мм2 ...................................................................................... 25

Патентно-конкурентоспроможні результати.

У розробці використані технічні рішення, які захищені авторськими свідоцтвами:

• А.с. № 1624067, СРСР, 1990. В.М.Скобеева, Л.Н. Семенюк. Зареєстровано у1990р.
• А.с. № 1776159, СРСР, 1992. В.М.Скобеева, Л.Н. Семенюк. Зареєстровано у1992р.

Порівняння зі світовими результатами.

Сенсори на основі плівок телуриду цинку та твердих розчинів ZnSexТе1-x мають ряд пере ваг перед аналогами, а саме: можливість керування світлом, високу чутливість, мініа тюрність, спрощене узгодження з електронними пристроями.

II. Наноструктури на основі сульфіду кадмію з ефективною люмінесценцією

Автори: докт. фіз.-мат наук, проф. Сминтина В.А., канд. фіз.-мат наук, ст наук співроб. Скобєєва В.М., канд. фіз.-мат наук, ст наук співроб. Малушин М.В.

Основні характеристики, суть розробки.

Розроблено технологію синтезу квантово-точкових систем з нанокристалами сульфіду кадмію, які дисперговані в полімерній матриці з желатини. Структури поєднують в собі як оптичні і люмінесцентні властивості напівпровідника, так і механічні і стабілізуючи властивості матриці. У порівнянні з монокристалами, структури мають більш ефективну люмінесценцію при кімнатних температурах, що є перспективним для створення малоінерційних ефективних оптоелектронних пристроїв для наноелектроніки. Завдяки желатині структури набувають властивості гнучких і еластичних матеріалів.

Структури на основі синтезованих нанокристалів сульфіду кадмію можуть бути застосовані для виготовлення люмінофорів, оптичних та люмінесцентних біологічних сенсорів.

Основні фізичні параметри нанокристалів:

• середній розмір, нм.........................................1 - 5;
• дисперсія по розмірам, %..............................15
• ширина забороненої зони, еВ.........................2,6 – 3,0;

Основні технічні характеристики випромінюючих структур:

• максимум спектра випромінювання, нм.....................650-690;
• інтервал робочих температур, 0С.................................100-400;
• квантовий вихід, %.........................................................1-10;

розміри робочої площі можуть змінюватися в необхідному діапазоні і визначаються розміром підкладки.

Патентно - конкурентноспроможні результати розробки.

Наноструктури на основі нанокристалів, що дисперговані у желатиновій матриці, мають такі переваги у порівнянні з монокристалами як більш ефективну люмінесценцію при кімнатних температурах, чутливість до оточуючого середовища та біологічних об”єктів, що є перспективним для їх використання у якості люмінесцентних біологічних сенсорів.

Порівняння із світовими аналогами.

Порівняльний аналіз, зроблений на основі патентного пошуку та огляду літературних даних показує, що на відміну від існуючих методів синтезу напівпровідникових нанокристалів, запропонований синтез базується на використанні при виготовлені структур екологічно безпечної та дешевої речовини - желатини. Робоча площа зразків може змінюватися в необхідному діапазоні і визначається розміром підкладки, на якій осаджується синтезований матеріал.

Економічна привабливість розробки для просування на ринок, впровадження та реалізації, показники, вартість.

Економічні переваги базуються на використанні для виготовлення наноструктур ресурсів України, типового хімічного обладнання, доступності та низької коштовності вихідних реагентів. Виготовлення наноструктур не потребує коштовного та спеціалізованого обладнання, є екологічно чистим та, завдяки відсутності процесів при високих температурах, низько енергомістким.

III. Технологія виготовлення оптичних фільтрів на основі нанокристалів сульфіду кадмію у розчинах різних полімерів

Автори: докт. фіз.-мат наук, проф. Сминтина В.А., канд. фіз.-мат наук, ст наук співроб. Скобєєва В.М., канд. фіз.-мат наук, ст наук співроб. Малушин М.В.

Основні характеристики, суть розробки.

Розроблено технологію синтезу квантово-точкових систем з нанокристалами сульфіду кадмію, які дисперговані в полімерній матриці з желатини. Оптична прозорість плівок у видимій області спектра досягається завдяки отриманню нанокристалів з розмірами нанометрового діапазону і зсуву краю поглинання у фіолетову область спектра за рахунок розмірної залежності ширини забороненої зони.

Основні технічні характеристики оптичних фільтрів:

• смуги пропускання...........................................0,4-2, 4-6 (мкм);
• габаритні розміри: площа поверхні залежить від обраної площі підкладки, товщина............................50-200 (мкм);

додаткові дані:

• можливість керування смугою пропускання шляхом зміни розмірів нанокристалів;
• можливість створення шарів з різною оптичною густиною шляхом зміни співвідношення концентрацій компонентів напівпровідника і матриці;
• технологічність та дешевизна виготовлення;
• можливість одержання гнучких плівок, легкість механічної обробки.

Порівняння із світовими аналогами.

На відміну від існуючих методів синтезу напівпровідникових нанокристалів запропонований синтез базується на використанні при виготовлені структур екологічно безпечної та дешевої речовини - желатини. Робоча площа зразків може змінюватися в необхідному діапазоні і визначається розміром підкладки, на якій осаджується синтезований матеріал.

Економічна привабливість розробки для просування на ринок, впровадження та реалізації, показники, вартість.

Економічні переваги базуються на використанні для виготовлення оптичних фільтрів на основі наноструктур типового хімічного обладнання, доступності та малокоштовності вихідних реагентів. Виготовлення наноструктур не потребує коштовного та спеціалізованого обладнання, є екологічно чистим та, завдяки відсутності процесів при високих температурах, низько енергомістким.

Основні публікації (за останні 10 років)

• V. M.Skobeeva,V.A. Smyntyna. A.K. Dali. Light controlled oxygen sensor on the based of ZnSe x Te 1-x structure. //Proceedings of the 11-th European Conferense on solid-state transducers. Eurosensors 11 Warsawa, Poland, September 21-24, 1997, pp. 99-101.
• В.М. Скобеева, В.В. Сердюк, А.К. Дали, А. Дарвишо, Н.В. Малушин. Внутрицентровая люминесценция эпитаксиальных пленок теллурида цинка. //Фотоэлектроника. -1996. №6, -с. 16-19.
• Абдул Кадер Далі, Алі Нажи Дарвішо, М.В. Малушин, В.В. Сердюк, В.М. Скобєєва. Внутрішньоцентрова люмінесценція епітаксійних плівок теллуриду цинку. //Укр.фіз. журнал.- 1995, т. 40, №10, -с.1056-1058.
• В.М. Скобєєва, Абдул Кадер Дали. Визначення оптичної єнергії іонізації кисню в телуриді цинку за спектрами збудження люмінесценції. //Укр. Фіз. Журнал. -1997. –т.42, №10, с. 1201-1203.
• Н.В. Малушин, В.М. Скобеева, В.А. Смынтына, А.К. Дали. Расчет параметров «кислородного» центра свечения в теллуриде цинка. //Фотоэлектроника. -1998, №7, -с. 44-47.
• Абдул Кадер Дали, Али Нажи Дарвишо, М.В. Малушин, В.В. Сердюк, В.М. Скобеева. Механизм излучательной рекомбинации в эпитаксиальных пленках теллурида цинка, легированного алюминием. //Фотоэлектроника. -1996, №6, -с. 20-21.
• Н.В. Малушин, В.М. Скобеева , В.А Смынтына , Абдул Кадер Дали. Роль примеси лития в формировании длинноволновой люминесценции теллурида цинка. //Фотоэлектроника. -2000, -№9 , с. 45-51.
• В.М. Скобеева, Абдул Кадер Дали, Н.В. Малушин. Механизм деградации люминесцентных характеристик структур на основе теллурида цинка, легированного литием. //Технология и конструирование в электронной аппаратуре. -1995. -№2.-с.64-67.
• N.V. Malushin, V.M.Skobeeva,V.A.Smyntyna, A.K.Dali. Residual photoconductivity effect in semi-insulator films ZnSe1-xTex // Фотоэлектроника, - 2001. - № 10. –с.98.
• L.L.Terletskay, V.M.Skobeeva, V.V.Golubtsov. Photosensors with Si-GaAs heterojunction as memory elements // Фотоэлектроника, - 2001. - № 10. –с.78.
• М.М.Воронцова, В.М.Скобєєва, В.А.Сминтина. Оптичні властивості наночастинок сульфіду кадмію у стабілізуючих розчинах // Журнал фізичних досліджень, 2003, т.7, вып.4.
• N.V.Malushin, V.M.Skobeeva, V.A.Smyntyna. Temperature dependence pecularites of luminescence in oxygen doped ZnTe films // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectonics, 2003, V.6, N2, p.214-216.
• М.Воронцова, В.Скобєєва, В. Сминтина. Оптичні властивості наночастинок сульфіду кадмію у стабілізуючих розчинах. //Журнал фізичних досліджень.-Т.8.-№1.- С.89-92.2004
• В.А.Смынтына, В.М.Скобеева, Н.В.Малушин. Люминесцентные характеристики наноструктур на основе сульфида кадмия. //Тези доповідей Міжнародної науково-техн. конф. „Сенсорна електроніка і мікросистемні технології”, Україна, Одеса, 1-5 червня 2004,с.56.
• SkobeevaV.M., Malushin N.V., Smyntyna V.A. Influence of treatment on the luminescence CdS quantum dots. //11 Укр. Наук. конф. з фізики напівпровідників, Чернівці-Вижниця, Украіна, с.15-16.2004.
• В.А.Смынтына, В.Д.Проничкин, В.М.Скобеева, В.К.Маринчик. Фотоэлектрические свойства наноструктур на основе сульфида кадмия. // Тези доповідей Міжнародної науково-техн. конф. „Сенсорна електроніка і мікросистемні технології”, Україна, Одеса, 1-5 червня 2004, с.58.
• В.А.Смынтына, В.М.Скобеева, Н.В.Малушин, Ю.А.Скришевский, А.Ю. Вахнин, И.В.Блонский, Г.И.Довбешко. Оптические свойства коллоидных систем с полупроводниковыми наночастицами. // Тезисы докл. ХХ1 научн.конф. стран СНГ, 20-24 сентября 2004 г., Одеса, Украина.
• Скобєєва В.М., Сминтина В.А., Малушин М.В. Вплив технологічних факторів на оптичні властивості нанокристалів сульфіду кадмію. // Тези доповідей. Всеукраїнський з”їзд „Фізика в Україні”, (3-6 жовтня 2005 р., Одеса, Україна), с.179.
• V.A. Smyntyna, V.M.Skobeeva, N.V.Malushin, A.D.Pomogailo. Influence of matrix on photoluminescence of CdS nanocrystals. // Photoelectronics. Inter-universities scientific articles. № 15, pp.38-42, 2006.
• Smyntyna V.A., Skobeeva V.M., Malushin N.V., Pomogailo A.D. Influence of humidity on the luminescence properties of CdS nanocrystalls. // Book of abstracts 2nd International Scientific and Technical Conference «Sensors electronics and microsystems technology». Ukraine, Odessa, June 26-30, 2006, pp.41-42.
• V.Smyntyna, V.Skobeeva, N.Malushin. The nature of emission centers in CdS nanocrystals. // Book of abstracts 6 th European Conference on Luminescent Detectors and Transformers of Ionizing Radiation. June, 19-23, Lviv, 2006, pp. 213-214.
• V.A. Smyntyna, V.M. Skobeeva, N.V. Malushin. The influence of illumination on the luminescence properties of gelantine-stabilized CdS nanocrrystals. // Materrials of the meeting «Clusters and nanostructured materials”. Uzhgorod – ‘Karpaty’, Ukraine, 9-12 October, 2006, pp.203 -204.
• В.А.Смынтына, В.М.Скобеева, Т.Ф.Махиборода. Температурная завиcимость ширины запрещенной зоны нанокристаллов CdS, выращенных в органической матрице. // Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «ЛОМОНОСОВ-2007», Севастополь, 2007, с.151-153.
• V.Smyntyna, V.Skobeeva, N.Malushin. The nature of emission centers in CdS nanocrystals. // Journal of Radiation Measurements, 2007, V.42, pp.693-696.
• Скобєєва В.М., Сминтина В.А., Тюрін О.В., Малушин М.В. Підвищення ефективностi люмінесценції нанокристалів CdS методом пасивації поверхні. // Тези доповідей. III Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. Україна, Одеса. 2007, 17-22 червня. С.260.
• S.I.Pomogailo, M.G.Kaplunov, V.M.Skobeeva, P.A.Ivanchenko, A.D.Pomogailo. The development of novel methods for synthesis semiconductor nanoparticles in polymer matrix. // Book of abstracts 12th IUPAC International Symposium on MacroMolecular Complexes. Japan, Fukuoka, August 27-31, 2007, p.161.
• Скобєєва В.М., Сминтина В.А., Тюрин А.В., Малушин М.В. Вплив процесів синтезу в зовнішніх обробок на поглинання та люмінесценцію нанокристалів CdS. // Матеріали XI Міжнародної конференції «Фізика і технологія тонких плівок та наноситем». Україна, Івано-Франківськ. 2007, 7-12 травня. С.247-248.

Учбові посібники, патенти

• В.М. Скобеева. Физика. Часть 1. Механика, Явления в жидкостях и газах.Учебное пособие по физике. Одесса «Астропринт» 1999. - С. 64.
• В.М. Скобеева. Физика. Часть 2. Теплота. Молекулярная Физика. Учебное пособие для иностранных студентов подготовительного отделения. Одесса. 2001. –С.30.
• А.с. № 1624067, СРСР, 1990. В.М.Скобєєва, Л.Н. Семенюк. Зареєстровано у 1990р.
• А.с. № 1776159, СРСР, 1992. В.М.Скобєєва, Л.Н. Семенюк. Зареєстровано у 1992р.
• Скобєєва В.М., Сминтина В.А., Малушин М.В. Спосіб отримання наночастинок сульфіду кадмію для люмінофорів. Позитивне рішення про видачу деклараційного патенту на корисну модель, щодо заявки № и 2007 12247

Зв’язки з зовнішними науковими організаціямі

• Институт проблем химической физики РАН, г.Черноголовка, Московская область (зав. лаб. докт. хім. наук, професор Помогайло А.Д.)
• Інститут фізики НАН України, відділ фізики біологічних систем, (ст.наук.співр., докт.біолог.наук, Довбешко Г.І.)

Науково-дослідна робота студентів

Студенти фізичного факультету приймають активну участь у дослідженні оптичних та випромінювальних властивостей напівпровідникових нанокристалів та нанокомпозитів на їх основі. По науковій тематиці лабораторії за останні 10 років виконано 26 бакалаврських і магістерських робіт.

Контактна інформація:

Адрес: 65082, м. Одеса, вул. Пастера, 27, НДІ фізики ОНУ ім. І.І.Мечникова. 
Тел. +38 048 723-03-29.