Інформація оновлена 17.09.2015

Дойчо Ігор Костянтинович

ДОЙЧО Ігор Костянтинович, 1953 року народження, працює в університеті з 1974 року (зокрема на посаді завідувача лабораторії некристалічних систем електроніки з вересня 1996 року, попередня посада провідний науковий співробітник тієї самої лабораторії). Науковий ступінь – кандидат фізико-математичних наук, наукове звання – старший науковий співробітник. Ним надруковано понад 50 наукових праць (з яких 3 винаходи), подано біля 10 рацпропозицій. За період своєї наукової діяльності Дойчо І.К. був науковим керівником двох госпдоговірних та двох держбюджетних тем Міністерства освіти і науки, відповідальним виконавцем трьох госпдоговірних та шости держбюджетних тем. Розробки лабораторії, що перебуває під керівництвом Дойчо І.К., презентувалися на Реґіональній науково-технічній виставці вузів м.Одеси „Перспектива XXI”, на виставці „Наука реґіону” та реґулярно презентуються на внутрішньо-університетських виставках. Головні наукові інтереси Дойчо І.К. зосереджено у галузі фізики напівпровідників, зокрема у теоретичному моделюванні фізичних явищ у середовищах із порушеннями далекого порядку, дослідженні шпаристих кремнієвміщуючих речовин, способів їх створення, їхніх фотолюмінесцентних властивостей, їхньої радіяційної стійкості та їхньому застосуванні в електроніці, приладобудуванні і медицині. Одним з значних результатів цих досліджень є виявлення кореляції між спектрами фотолюмінесценції шпаристих силікатних стекол і особливостями їхньої внутрішньої структури. Дойчо І.К. є визнаним фахівцем з зонної теорії кристалічних напівпровідників та особливостей кристалічної структури сполук, важливих у електроніці, вправно володіє сучасною обчислювальною технікою, різноманітними методиками оптичних, фотолюмінесцентних, шпароскопичних та електрофізичних досліджень. Працює над докторською дисертацією. Дойчо І.К. брав участь у понад 25 конференціях, нарадах, сімпозіумах з фізики напівпровідників, неодноразово доповідав про результати власних досліджень на наукових семінарах різного рівня, його доповіді викликали інтерес відомих фахівців у галузі фізики напівпровідників. Дойчо І.К. неодноразово був керівником курсових та дипломних праць студентів фізичного факультету, вів спеціальні практикуми, розробив лекційний курс з фізики невпорядкованих систем для студентів-фізиків виробничого відділення, який вів на протязі кількох учбових років, та лекційний курс з фізики шпаристих середовищ, якій на жаль не увійшов до учбового плану факультету. Під керівництвом Дойчо І.К. налагоджено наукову співпрацю лабораторії із низкою науково-дослідних установ у межах України та за кордоном. Зокрема, це Інститут фізики НАНУ, Інститут напівпровідників НАНУ (обидва Київ), НДІ очних хвороб та тканинної терапії ім.В.П.Філатова (Одеса), Фізичний інститут Вроцлавської політехніка (Польща), фірма Tower Semiconductor (Ізраїль) та інші.

Найважливіші наукові праці Дойчо І.К. за період його наукової діяльності:

• Локалізовані електронні стани, що асоціюються із домішкою перехідного металу у напівпровідниках [Localized electron states associated with a trensition-metal impurity in semiconductors // physica status solidi (b). – 1979. – Vol.92. – p.k147-k150.]
• Вибір між різними локальними псевдопотенціалами для кремнію [Selection between various local pseudopotential for Silicon // physica status solidi (b). – 1979. – Vol.93. – p.k131-k134.]
• Густина електронних станів у трійних сплавах, отримана методом кластеру із ґраткою Бете [Electronic density of states in ternary alloys using the Cluster-Bethe-Lattice method // physica status solidi (b). – 1979. – Vol.94. – p.k71-k75.]
• Локальна густина електронних станів у напівпровіднику із дефектами [Локальная плотность электронных состояний в полупроводнике с дефектами//Физика и техника полупроводников. – 1980. – т.14, №1. – с.7-12.]
• Метод визначення рухливості іонів на поверхні діелектричних шарів [Метод определения подвижности ионов на поверхности диэлектрических слоёв // Поверхность: физика, химия, механика. – 1987. – вып.2. – с.145-148.]
• Механізми довгочасної релаксації інжекційного струму у МНОН-структурах [Механизмы долговременной релаксации инжекционного тока в МНОП-структурах// Микроэлектроника. – 1989. – т.18, № 1. – с.89-94.]
• Вплив жорсткого опромінення на властивості сонячних батарей на базі аморфного гідрованого кремнію [Влияние жесткого облучения на свойства солнечных батарей на основе аморфного гидрированного кремния // Фотоэлектроника. – 1997. – вып.6. – стр.41-44.]
• Електронна структура поруватих сполук на базі кремнію [Электронная структура пористых соединений на основе кремния // Фотоэлектроника. – 1998. – вып.7. – с.42-43.]
• Польова залежність фотоструму діелектрика із пул-френкелевськими пастками [Полевая зависимость фототока диэлектрика с пул-фенкелевскими ловушками // Фотоэлектроника. – 1998. – вып.7. – с.90-92.]
• Вплив відпалу вкрапленого вуглецю на фотолюмінесцентні властивості шпаристого скла та шпаристого кремнію [The influence of anneal of incorporated carbon on the photoluminescence properties of porous glass and porous silicon // Polish Ceramic Bulletin 19, Ceramics 57 / Porous and Special Glasses (Proceedings of the 4-th International Seminar PGL'98) / edited by L.Stoch. – Polish Ceramic Society, Krakow:1998. – p.59-64.]
• Випромінювальна рекомбінація близьких і віддалених пар у шпаристім кремнії [Geminate and distant pair radiative recombination in porous silicon // Journal оf Physics: Condenced Matter. – 1999. – Vol.11, No.21. – p.4783-4800.]
• Структурні і люмінесцентні властивості шпаристого кремнію, що його отримано лазерною абляцією [Структурные и люминесцентные свойства пористого кремния, полученного методом лазерной абляции // Фотоэлектроника. – 1999. – вып.8. – c.18-21.]
• Відносне змінювання лінійних розмірів шпаристого скла у вологому середовищі [Relative changes of porous glass dimensions in humid ambiance // Journal of Porous Materials. – 2000. – Vol.7. – р.465-467.]
• Вплив γ-опромінювання на фотолюмінесценцію шпаристого кремнію, що його здобуто електрохімічним травленням [Влияние γ-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния, полученного методом электрохимического травления // Фотоэлектроника. – 2000. – вып.9. – с.23-27.]
• Вуглецева обробка як метод розвинення поверхні шпаристих стекол [Carbon treatment as a method of the surface development of the porous glasses // Optica Applicata. – 2000. – Vol.XXX, No.4 – p.635-640.]
• Лінійне видовження шпаристого скла із розвиненою внутрішньою поверхнею у вологому середовищі [Linear extension of porous glasses with modified internal surface in humid environment // Optica Applicata. – 2000. – Vol.XXX, No.4 – p.605-611.]
• Вплив ?-опромінювання на фотолюмінесценцію шпаристого ґерманію, здобутого електроіскровою обробкою [Influence of a ?-irradiation on photoluminescence of porous germanium obtained by treatment in an electric spark discharge // Фотоэлектроника. – 2001. – вып.10. – c.91-94.] Залежність лінійних розмірів шпаристих золь-ґелевого і силікатного скла від вологості [Humidity dependencies of porous sol-gel and silica glass linear sizes // Material Science. – 2002. – Vol.20,No.2. – p.23-27.]
• Реґулювання фотолюмінесцентних властивостей шпваристого кремнію змінюванням параметрів процесу анодування [Регулирование фотолюминесцентных свойств пористого кремния изменением параметров процесса анодизации // Фотоэлектроника. – 2002. – вып.11. – с.70-72.]
• Вплив вуглецевої мультіобробки на фотоелектричні властивості шпаристих стекол [Influence of carbon multiprocessing on the photoelectrical properties of porous glasses // Radiation Effects and Defects in Solids. – 2003. – Vol.158, No.1-6. – p.427-432.]
• Вплив γ-опромінення малими дозами на фотолюмінесцентні властивості шпаристих стекол різного типу [Small doses γ-irradiation effect on the photoluminescence properties of various kind porous glasses // Optica Applicata. – 2003. – Vol.XXXIIІ, No.1 – p.55-60.]
• Вплив антибіотика hentamicini sulphate на фотолюмінесцентні властивості силікатних шпаристих стекол, застосовних для офтальмологічного протезування [Antibiotic hentamicini sulphate effect on photoluminescent properties of the silicate porous glasses, which are suitable for ophthalmologic protesting// Optica Applicata. – 2003. – Vol.XXXIIІ, No.1 – p.34-39.]
• Вплив обробки у KNO3 на адсорбційні властивості силікатних шпаристих стекол [Effect of potassium nitrate treatment on the adsorption properties of silica porous glasses // Journal of Non-Crystaline Solids. – 2004. – Vol.345-346. – p.260-264.]
• Застосування шпаристих стекол у офтальмологічному протезуванні [Application of Porous Glasses in Ophthalmic Prosthetic Repair // Journal of Porous Materials. – 2004. – Vol.11. – p.21-29.]
• Вплив кристалоґрафічної орієнтації підкладки на фотолюмінесцентні властивості шпаристого кремнію [Substrate crystallographic orientation effect on photoluminescent properties of porous silicon // Фотоэлектроника. – 2005. – вып.14. – с.73-76.]
• Інтерферометричний метод дослідження морфології внутрішньої поверхні шпаристого скла [An interferometric method of inner surface morphology investigation in porous glass // Фотоэлектроника. – 2005. – вып.14. – с.101-104.]