Інформація оновлена 17.09.2015

Науково-дослідна лабораторія “Сенсорна електроніка та надійність електронної техніки” (НДЛ-9)

Науково-дослідна лабораторія сенсорної електроніки створена в 1992 році. За час існування виконано більш, ніж 12 науково-дослідних проектів в галузі фізики напівпровідників, фізичної електроніки, датчиків, проблем, пов’язаних з надійністю виробів електронної техніки. Науковий склад лабораторії – всього 12 співробітників, зокрема, 2 доктори наук, 3 кандидати наук, 2 наукових співробітника.

Напрями наукової діяльності:

• Фізика напівпровідників, фізична електроніка, сенсорна електроніка.
• Структурно-фазові перетворення в композиційних матеріалах.
• Фізичні характеристики та інформаційні структури світлових пучків.

Визначні наукові результати:

• Створено концепцію фізичних механізмів протікання струмів в напівпровідникових структурах в умовах інжекційного введення нерівноважних носіїв заряду (електронів та дірок) в об’єм матеріалу (науковий керівник проф. Ш.Д. Курмашев).
• Розроблено концепцію фізичних механізмів впливу морфології і розмірів мікро- і наночастинок вихідних матеріалів на електрофізичні властивості систем “скло-RuO2, Bi2Ru2O7 “ (науковий керівник проф. Ш.Д. Курмашев).
• Обгрунтовано систему параметрів поперечної циркуляції енергії світлових в пучках з орбітальним кутовим моментом (науковий керівник докт. фіз.-мат. наук О.Я. Бекшаєв).

Міжнародне науково-технічне співробітництво:

• Ополевський університет (м. Ополе, Польща).
• Лабораторія лазерної техніки і лазерних випромінювань Рурського університету (м. Бохум, Німеччина).
• Центр Мікроаналізу Антверпенського університету (м. Антверпен,Бельгія).

Основні наукові результати і розробки

• Отримані теоретичні і експериментальні результати дають змогу створення нового покоління напівпровідникових датчиків. Розроблено моделі напівпровідникових діодних структур з інжекційною модуляцією провідності бази, що дозволяє створювати сенсори із внутрішнім інжекційном підсиленням. Чутливість таких систем в десятки та сотні разів вища, ніж у безінжекційних приладів, що відповідає параметрам кращих зарубіжних аналогів (науковий керівник проф. Ш.Д. Курмашев). Інжекційні датчики світла, магнітного поля, тиску можуть бути використані в системах моніторингу та охорони довкілля, для ресурсо-зберігаючих технологій в промисловості, в медицині, зв’язку. Патентна спроможність результатів роботи пов’язана з виявленням засобів створення датчиків-сенсорів, чутливих до дії надзвичайно слабких зовнішніх факторів (світло, магнітне поле, тиск). Серед пріоритетних напрямків роботи – збереження навколишнього середовища (довкілля), новітні технології та ресурсо-зберігаючі технології.
• На підставі проведених теоретичних та експериментальних досліджень можуть бути запропоновані засоби зниження деградаційних процесів і методи забезпечення відтворення електрофізичних параметрів товстоплівкових елементів гібридних інтегральних схем (науковий керівник проф. Ш.Д. Курмашев). Вперше запропоновані склади флюсів для автоматизованої низькотемпературної пайки струмозє’мних контактних площадок товстоплівкових елементів ГІС. У поточний час отримано два позитивних рішення на видачу патентів України щодо розроблених флюсів. Серед пріоритетних напрямків – нові речовини і матеріали.Розроблені в роботі методи, засоби і моделі можна використовувати на підприємствах електронної промисловості України для зниження деградаційних процесів товстоплівкових елементів ГІС і реалізації бездефектного виробництва малогабаритної радіоелектронної апаратури.
• Розроблено ефективні оптичні методи та системи кодування, обробки і передачі інформації (науковий керівник докт. фіз.-мат. наук О.Я. Бекшаєв). Вивчені особливості світлових пучків з вихровими властивостями дозволяють покращити характеристики відомих і створити нові вдосконалені методи керування рухом мікрочастинок, засоби їх просторової селекції та локалізації, що мають перспективу у багатьох задачах дослідження і діагностики поодиноких мікрооб’єктів, здійснення селективних фізико-хімічних взаємодій (“мікрореактори;). Відповідні технології можуть бути застосовані в мікроелектронній, хімічній, фармацевтичній, мікробіологічній галузях. Серед пріоритетних напрямків роботи – збереження навколишнього середовища (довкілля), новітні технології та ресурсозберігаючі технології.

Основні наукові публікації

• Influence of electron irradiation on characteristics of InSb injection photodiodes // Photoelectronics.- 2006.- N 15.- P. 63-64.
• Методы получения электрохимических сенсоров оксида углерода // Вісник Черкаського ДТУ. – 2006.- № 4.- С.120-121.
• Однопереходный транзистор с инжекционным диодом во входной цепи // Вісник Черкаського ДТУ. – 2006.- № 4.- С.166-168.
• Фотоприемник на основе однопереходного и полевого фототранзисторов // Sensor electronics and microsystem technologies.- 2006.- №4.- с. 28-30.
• Шумовые характеристики инжекционных Ni-n-Si–структур при высоких плотностях тока // Тр. 7-й МНТК “Современные информационные и электроннгые технологии”. Одесса.- 2006.- С. 148.
• Инжекционные фотодиоды //2-я МНТК “Сенсорная электроника и микросистемные технологии”.- Одесса.- 2006.- С. 28-29.
• Получение датчиков на основе пятиокиси ванадия для определения оксида углерода // 2-я МНТК “Сенсорная электроника и микросистемные технологии”.- Одесса.- 2006.- С. 216.
• Зависимость электрофизических параметров композиционных структур стекло - RuO2, (Bi2Ru2O7) от дисперсности компонентов и температурных режимов вжигания // Тез. докл. ХХІІ научн. конф. стран СНГ “Дисперсные системы”. – 18-22 сентября 2006. – Одесса. – с. 211.
• Структурно-фазовые превращения в толстопленочных композиционных структурах на границе раздела керамика – стекло – Ag (Ag-Pd)-Sn-Pb // Тез. докл. ХХІІ научн. конф. стран СНГ “Дисперсные системы”. – 18-22 сентября 2006. – Одесса. – с. 213.
• Влияние кристаллической фазы SiO2 на электрофизические параметры композиционных структур на базе стекло-Bi2Ru2O7 // Тез. докл. ХХІІ научн. конф. стран СНГ “Дисперсные системы”. – 18-22 сентября 2006. – Одесса. – с. 215.
• Структурно-фазовые превращения в токосъемных контактных площадках фотопреобразователей // Тези допов.науково-технічної конф. “Сенсорна електроніка”. – 26-30 червня 2006. – Одеса. –с. 17-19.
• Методы получения электрохимическх сенсоров оксида углерода // Вісник Черкаського ДТУ. – 2006. - №4. – с. 166-168.
• Патент України. Флюс для низькотемпературного паяння. UA 19850 U, 15.01.2007. Бюлл.№ 1, 2007.
• Патент України. Флюс для низькотемпературного паяння. UA 19849 U, 15.01.2007. Бюлл.№ 1, 2007.
• Фізичні та модельні уявлення про гальваномагнітні ефекти в біполярних напівпровідникових структурах // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2006, в.1, С. 9-16.
• Centrifugal transformation of the transverse structure of freely propagating paraxial light beams // Opt. Lett..- 2006.- V.31,N 6.- P. 694-696.
• Описание морфологии оптических вихрей с помощью орбитального углового момента и его компонент // Опт. и спектр..-2006.-Т. 100, в. 6.- С. 986-991.
• Rotational transformations and transverse energy flow in paraxial light beams: linear azimuthons // Opt. Lett..- 2006.- V. 31, N 14.- P. 2199-2201.
• Intensity moments of a laser beam formed by superposition of Hermite-Gaussian modes // Thu, 6 Jul 2006 06:10:26 GMT.
• Laser analyzer of aerosol particles with monotonic calibration curve // Вісник Одеськ. Нац. Універс.- 2006.- Т. 11, и. 7. Фіз.-мат. науки.
• Spin angular momentum of inhomogeneous and transversely limited light beams // 7th Int. Conf. On Correlation Optics.- Proc. SPIE.- 2006.- V.6254 – P. 56-63.
• Large-scale 3D structure and mechanical properties of rotating light beams // 7th Int. Conf. On Correlation Optics.- Proc. SPIE.- 2006.- V.6254 – P. 44-55.
• Влияние объемной рекомбинации на характеристики газоразрядной плазмы// Вісник Одеськ. Нац. Універс.- 2006.- Т. 11, и. 7. Фіз.-мат. науки.
• Влияние зависимости подвижности ионов от величины электрического поля на параметры положительного столба в узких газоразрядных трубках //Дисперсные системы. XXII научн. Конф. Стран СНГ.- 2006.- Одесса.- С. 240-241.

Поштова адреса:

1. вул. Говорова, 4,м. Одеса, 65063, Україна.
2. Тел.: 8-(048)-738 64 30
3. e-mail: UNPC@ farlep.net