Науково-дослідна лабораторія електронних іонних і молекулярних процесів в напівпровідниках

Інформація оновлена 17.09.2015

Науково-дослідна лабораторія електронних, іонних та молекулярнихпроцесів на поверхні і в об’ємі напівпровідників (НДЛ-3)

Завідуючий доктор фізико-математичних наук, професор Лепіх Ярослав Ілліч

Завідуючий доктор фізико-математичних наук, професор Лепіх Ярослав Ілліч

НДЛ-3 була утворена в 1983 році на базі госпдоговірної теми, науковим керівником якої був професор В. В. Сердюк. Першим завідувачем лабораторії був доктор фізико-математичних наук Д. Л. Василевський. В даний час в лабораторії працюють 10 наукових працівників, в тому числі 1 доктор фізико-математичних наук, 1 кандидат фізико-математичних наук

Персональний склад наукових співробітників:
 

  • Лепіх Ярослав Ілліч - завідуючий НДЛ-3, доктор фізико-математичних наук, професор 
  • Балабан Андрій Петрович –науковий співробітник, 
  • Борщак Віталій Анатолійович - старший науковий співробітник, кандидат фізико-математичних наук, 
  • Вітер Роман Віталійович – молодший науковий співробітник 
  • Затовська Наталія Петрівна – науковий співробітник 
  • Куталова Марія Іванівна – науковий співробітник 
  • Карпенко Андрій Олександрович - молодший науковий співробітник 
  • Снігур Павло Олексійович – старший науковий співробітник 
  • Філевська Людмила Миколаївна – науковий співробітник 
  • Хоменко Михайло Володимирович – молодший науковий співробітник,

Напрями наукових досліджень:

  • Електронні, іонні та молекулярні процеси в напівпровідникових матеріалах.
  • Електрофізичні і адсорбційні явища в кристалічних діелектриках та шаруватих структурах п’єзоелектрик - напівпровідник, п’єзоелектрик- діелектрик при поширенні поверхневих акустичних хвиль.
  • Фотоелектричні явища у напівпровідниках.
  • Сенсорна електроніка і мікросистемні технології.

За 1991 – 2005рр в лабораторії виконано приблизно 40 наукових проектів. В даний час виконуються три держбюджетні і дві госпрозрахункові теми. Одна з них виконується в рамках міжгалузевої Програми розвитку найбільш конкурентноспроможних напрямків мікроелектроніки в Україні, друга – за підтримки Фонду фундаментальних наукових досліджень України. За останній рік співробітниками лабораторії опубліковано більш 30 наукових праць, взято участь в роботі 7 національних та міжнародних конференцій.
На базі лабораторії проведені “1-а Українська наукова конференція з фізики напівпровідників“ (з міжнародною участю) УНКФН-1, Одеса, 10-14 вересня 2002 р, та міжнародна науково-технічна конференція “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології” (СЕМСТ-1), Одеса, 1-5 червня 2004 р.
Всього за час існування лабораторії її співробітниками зроблено понад 100 доповідей на наукових конференціях. Розробки НДЛ-3 експонувались на міжнародних виставках СеВІТ (Ганновер, Німеччина, 2002р.), на виставках української науки і техніки в КНР (Цзинань, КНР, 2003р. ,Чаньчунь, КНР, 2004р.), Дні української науки і техніки в Індії (Хайдаробад, 2003р., Делі, 2004р.).
На основі досліджень, що велись і ведуться в лабораторії було захищено 9 кандидатських і 3 докторських дисертації. На базі НДЛ випускаються науково-технічний журнал “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології” і науково-технічний збірник “Фотоелектроніка”, які входять до переліку фахових видань ВАК України по захисту дисертацій. Під керуванням співробітників лабораторії постійно, кожного року виконуються дипломні та курсові роботи студентів, які приймають активну участь в наукових дослідженнях.
Співробітники лабораторії беруть участь у виконанні державної програми по освоєнню острова Зміїний в частині роз’язання проблеми його енергетичного забезпечення.

Основні результати фундаментальних досліджень за останні роки

На основі тунельно-стрибкового механізму Мотта створено модель струмопереносу в неідеальному гетеропереході, яка базується на врахуванні порушень трансляційної симетрії кристалічних граток в ОПЗ.
Встановлені фізичні механізми та закономірності процесів адсорбції-десорбції в шаруватих структурах п’єзоелектрик-плівка Ленгмюра-Блоджетт.
Отримано і систематизовано нові дані про електрофізичні параметри і акустичні характеристики кристалічних діелектриків, в тому числі п’єзоелектриків, для хвиль Релея.
Встановлені фізичні механізми генерації, поширення та детектування поверхневих акустичних хвиль і керування їх параметрами в шаруватій структурі фоточутливий напівпровідник-п’єзоелектрик та в селективно поляризованих сегнетоелектриках.

Результати прикладних досліджень за останні роки

Розроблено сенсори оптичного та рентгенівського зображень на основі напівпровідникових неідеальних гетероструктур, що переважають аналоги по ряду параметрів.
Розроблено сенсори газів на основі досліджених адсорбційно-десорбційних механізмів в шаруватих структурах і нових матеріалах, які мають ряд переваг перед аналогами за основними метрологічними характеристиками.
Розроблено датчики фізичних величин на основі досліджених акустоелектронних ефектів, які мають переваги перед аналогами, побудованими на інших фізичних принципах. Один з таких датчиків (датчик кута повороту) пройшов успішні випробування в КНР на базі Українсько-Китайського технопарку високих технологій. Передбачається його впровадження у виробництво.
Розроблено концентратор сонячної енергії на основі дзеркал Френеля, що за основними параметрами переважає аналоги.
Розроблено екологічно чисту технологію виготовлення прецесійних комутаційних плат високої ступені інтеграції.
Таким чином, науково-дослідні роботи, що ведуться в НДЛ-3 мають не тільки фундаментальну спрямованість, але і значну практичну цінність, що дозволяє використовувати результати досліджень і розробок НДЛ-3 як в науці, так і у народному господарстві.

Адреса

вул. Дворянська, 2,Одеса, 65082
Тел. приймальної (38-048)723-52-54
Тел./факс (38-048)723-35-15
Email: rector@onu.edu.ua

Наші партнери

title_5a156e67511a619091547601511353959
title_5a156e67512be1495610271511353959
title_5a156e67513d47332925751511353959
title_5a156e67515af18660709171511353959
Top