Research Laboratory of Sensor Electronics and Electronic Parts Reliability

Updated 30.11.2015

Research laboratory "Sensory electronics and reliability of electronic technique" (RL-9)

A research laboratory of the sensory electronics is created in the 1992 year. In times of existence it is executed more, by what 12 research projects in the region of the physics of semiconductors, physical electronics, sensors, problems, related to reliability of the of electronic technique.
Scientific composition of laboratory – in all 12 employees, in particular, 2 doctors of sciences, 3 candidates of sciences, 2 research workers.

Directions of scientific activity:

  • Physics of semiconductors, physical electronics, sensory electronics.
  • Structural-phase transformations in the composition materials.
  • Physical descriptions and informative structures of light bunches.

Prominent scientific results:

  • Conception of the physical mechanisms of the currents in the semiconductor structures in the conditions of injection introduction of non-equilibrium charge carriers (electrons and holes) to the bulk of the material is created.
  • Conception of physical mechanisms of influence of morphology and sizes of micro- and nano-parts of initial materials on the electrophysics properties of the systems "glass-RuO2, Bi2Ru2O7 " .-The system of parameters of transversal circulation of energy of light in bunches with the orbital angular moment is grounded

International scientific and technical cooperation:

  • The Opole university (Opole, Poland).
  • Laboratory of laser technique and laser radiations of Rhur university (Bohum, Germany).
  • Center of Microanalysis of the Antverpen university (Antverpen, Belgium).
  • Institute of applied physics (Moscow, Russia).

Basic scientific publications

  • Influence of electron irradiation on characteristics of InSb injection photodiodes // Photoelectronics.- 2006.- N 15.- P. 63-64.
  • Методы получения электрохимических сенсоров оксида углерода // Вісник Черкаського ДТУ. – 2006.- № 4.- С.120-121.
  • Однопереходный транзистор с инжекционным диодом во входной цепи // Вісник Черкаського ДТУ. – 2006.- № 4.- С.166-168.
  • Фотоприемник на основе однопереходного и полевого фототранзисторов // Sensor electronics and microsystem technologies.- 2006.- №4.- с. 28-30.
  • Шумовые характеристики инжекционных Ni-n-Si–структур при высоких плотностях тока // Тр. 7-й МНТК “Современные информационные и электроннгые технологии”. Одесса.- 2006.- С. 148.
  • Инжекционные фотодиоды //2-я МНТК “Сенсорная электроника и микросистемные технологии”.- Одесса.- 2006.- С. 28-29.
  • Получение датчиков на основе пятиокиси ванадия для определения оксида углерода // 2-я МНТК “Сенсорная электроника и микросистемные технологии”.- Одесса.- 2006.- С. 216.
  • Зависимость электрофизических параметров композиционных структур стекло - RuO2, (Bi2Ru2O7) от дисперсности компонентов и температурных режимов вжигания // Тез. докл. ХХІІ научн. конф. стран СНГ “Дисперсные системы”. – 18-22 сентября 2006. – Одесса. – с. 211.
  • Структурно-фазовые превращения в толстопленочных композиционных структурах на границе раздела керамика – стекло – Ag (Ag-Pd)-Sn-Pb // Тез. докл. ХХІІ научн. конф. стран СНГ “Дисперсные системы”. – 18-22 сентября 2006. – Одесса. – с. 213.
  • Влияние кристаллической фазы SiO2 на электрофизические параметры композиционных структур на базе стекло-Bi2Ru2O7 // Тез. докл. ХХІІ научн. конф. стран СНГ “Дисперсные системы”. – 18-22 сентября 2006. – Одесса. – с. 215.
  • Структурно-фазовые превращения в токосъемных контактных площадках фотопреобразователей // Тези допов.науково-технічної конф. “Сенсорна електроніка”. – 26-30 червня 2006. – Одеса. –с. 17-19.
  • Методы получения электрохимическх сенсоров оксида углерода // Вісник Черкаського ДТУ. – 2006. - №4. – с. 166-168.
  • Патент України. Флюс для низькотемпературного паяння. UA 19850 U, 15.01.2007. Бюлл.№ 1, 2007.
  • Патент України. Флюс для низькотемпературного паяння. UA 19849 U, 15.01.2007. Бюлл.№ 1, 2007.
  • Фізичні та модельні уявлення про гальваномагнітні ефекти в біполярних напівпровідникових структурах // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2006, в.1, С. 9-16.
  • Centrifugal transformation of the transverse structure of freely propagating paraxial light beams // Opt. Lett..- 2006.- V.31,N 6.- P. 694-696.
  • Описание морфологии оптических вихрей с помощью орбитального углового момента и его компонент // Опт. и спектр..-2006.-Т. 100, в. 6.- С. 986-991.
  • Rotational transformations and transverse energy flow in paraxial light beams: linear azimuthons // Opt. Lett..- 2006.- V. 31, N 14.- P. 2199-2201.
  • Intensity moments of a laser beam formed by superposition of Hermite-Gaussian modes // http://arxiv.org/abs/physics/0607047, Thu, 6 Jul 2006 06:10:26 GMT.
  • Laser analyzer of aerosol particles with monotonic calibration curve // Вісник Одеськ. Нац. Універс.- 2006.- Т. 11, и. 7. Фіз.-мат. науки.
  • Spin angular momentum of inhomogeneous and transversely limited light beams // 7th Int. Conf. On Correlation Optics.- Proc. SPIE.- 2006.- V.6254 – P. 56-63.
  • Large-scale 3D structure and mechanical properties of rotating light beams // 7th Int. Conf. On Correlation Optics.- Proc. SPIE.- 2006.- V.6254 – P. 44-55.
  • Влияние объемной рекомбинации на характеристики газоразрядной плазмы// Вісник Одеськ. Нац. Універс.- 2006.- Т. 11, и. 7. Фіз.-мат. науки.
  • Влияние зависимости подвижности ионов от величины электрического поля на параметры положительного столба в узких газоразрядных трубках //Дисперсные системы. XXII научн. Конф. Стран СНГ.- 2006.- Одесса.- С. 240-241.

Postal address:

  1. Govorova street, 4,. Odessa, 65063, Ukraine.
  2. Telephones.: 8-(048)-738 64 30
  3. e-mail: UNPC @ farlep.net

Adress

Dvoryanskaya str., 2,Odessa, 65082
Reception (38-048)723-52-54
Phone/fax (38-048)723-35-15
Email:

Our Partners

title_5a1250c130eaf5726462571511149761
title_5a1250c130fc67412803841511149761
title_5a1250c1310d82417790911511149761
title_5a1250c131214453971971511149761
Top