Міжвідомчий науково-навчальний фізико-технічний центр

Інформація оновлена 17.09.2015

Міжвідомчий науково-навчальний фізико-технічний центр (МННФТЦ)

Міністерства освіти і науки Національної  академії наук України

при Одеському національному університеті імені І.І. Мечникова

 

Міжвідомчий науково-навчальний фізико-технічний центр (МННФТЦ) створено у 2008 р. спільним наказом МОН і НАН України на базі НДЛ-3 ОНУ і підрозділів Інституту фізики напівпровідників (ІФН) ім. В.Є. Лашкарьова НАН України. Наукове керівництво Наказом покладено на ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, з яким НДЛ-3 МННФТЦ має багаторічну наукову співпрацю.

 Загальна середня чисельність МННФТЦ – 27 співробітників, з них 3 д.ф.-м.н., 2 проф., 6 к.ф.-м.н., 1 пров. н.с., 2. н.с.  

 

Директор МННФТЦ – доктор фіз.-мат. наук, професор, лауреат Державної премії України у галузі науки і техніки, академік АН Вищої школи України, академік Міжнародної академії  інформатизації Лепіх Ярослав Ілліч.

 

До складу МННФТЦ входять 4 лабораторії:

 
Лабораторія “Електронних, йонних і молекулярних процесів у напівпровідниках”.
 
Завідувач лабораторії  - д.ф.-м.н., проф. Лепіх Ярослав Ілліч.
 
Лабораторія “Датчиків і реєструючих систем рухомих об’єктів”.
 
Завідувач лабораторії   - с.н.с. Будіянська Людмила Михайлівна.
 
Лабораторія “Сенсорної електроніки і надійності електронної техніки”.
 
Лабораторія “Некристалічних систем електроніки”.
 
Завідувач лабораторії – к.ф.-м.н. Дойчо Ігор Костянтинович.
 
Науковий керівник – доктор фіз.-мат. наук, проф., лауреат Державної премії України у галузі науки і техніки, Заслужений діяч  науки і техніки України – Сминтина Валентин Андрійович.
 
 
МННФТЦ має Науково-технічну раду (НТР) з числа співробітників ОНУ і Інституту фізики напівпровідників  ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.  До складу НТР входить 1 акад. і 2 чл.-кор. НАН України, 2 акад. АН ВШ України.
 
 

Основними науковими напрямами досліджень МННФТЦ є:

 
 

Основні наукові результати.

 
За 5 років МННФТЦ виконано низку фундаментальних і прикладних НДР за рахунок бюджетних коштів, госпдоговорів, міжнародних проектів і грантів. Де-які наукові результати, отримані за останні 5 років полягають у наступному:
 
 
Створено модель неідеальної напівпровідникової гетероструктури CdS-Cu2S, яка пояснює особливості механізму його провідності в бар'єрній області та модель рекомбінації носіїв, що рухаються по локалізованих станах на центрах гетеромежі. Розроблені сенсори, які мають можливість накопичення, зберігання та зчитування оптичної та рентгенівської інформації, що визначає конкурентоспроможність на внутрішньому та світовому ринку.  
 
Встановлено механізм впливу УФ-світла на люмінесценцію нанокристалів (НК) обумовлений фотоіонізацією нанокристалу. Встановлено можливість збільшення ефективності випромінювання в нано-структурах ядро (CdS)- оболонка (ZnS) як за рахунок зменшення поверхневих дефектів, так і через квантове обмеження носіїв заряду, що спричиняє їх локалізації   в об’ємі НК і зменшенню центрів безвипромінювальної рекомбінації. 
 
Вперше для нановолокон оксидів металів ZnOта TiO2встановлено параметри локальних центрів випромінювальної рекомбінації (енергетичне положення та енергія активації), які знаходяться на поверхні та в об’ємі нановолокон і проявляють себе під час адсорбції біоселективного шару на нановолоконах.    
 
Вивчено процеси структурно-фазових перетворень при   термообробці композитних плівок на базі систем “скло-кластери RuO2, Ag-Pd”. Визначено фізичні механізми струмопротікання носіїв заряду в гетерофазних нанокомпозитах.
 
Встановлено механізм виникнення фоточутливості надтонких плівок гетероструктур р(Pb1-xSnxSe)-n(CdSe) в ІЧ-області спектру. Визначено, спектральні характеристики мають основний максимум чутливості на довжині хвилі ? = 10,6 мкм. 
 
Показано, що квантові приймачі випромінювання типу фоторезисторів та фотодіодів на основі вузькозонної потрійної  сполуки Pb1-xSnxSe є перспективними для створення нових високочутливих неохолоджуваних сенсорів для дальньої ІЧ-області спектра.
 
Вперше отримані нові наукові дані про структурні та електрофізичні властивості та встановлено зв’язок між ними у нових класах функціональних матеріалів на основі координаційних сполук. 
 
Встановлені механізми і основні закономірності адсорбо-десорбційних процесів і акустичних ефектів у шаруватих структурах з функціональних матеріалів  при поширенні поверхневих акустичних хвиль Релея, що розширюють фундаментальні знання з фізики твердого тіла і фізики поверхні.
 
Розроблено наукові основи створення нових пристроїв функціональної мікроелектроніки, що базується на використанні фізичних властивостей функціональних матеріалів – анізотропних п’єзоелектриків, п’єзо- та фото-напівпровідників і фізичних явищ, які виникають при поширенні ПАХ у шаруватих структурах.
 
Створено на новому принципі уніфікований акустоелектронний перетворювач для датчиків фізичних величин різного функціонального призначення, який не має ні вітчизняних, ні зарубіжних аналогів.
 
Створено низку інтелектуалізованих датчиків фізичних величин(тиску, кута повороту, лінійного переміщення) та сенсорів газів, що переважають аналоги за технічними і експлуатаційними характеристиками.
 
За 5 років отримано патентів на винаходи – 37. Отримано також Дипломи переможця Всеукраїнського конкурсу “Винахід-2011” і “Винахід-2012”.
 
2 співробітника МННФТЦ - проф. Курмашев Ш.Д. (2009р.) і проф. Лепіх Я.І. (2011р.) стали лауреатами Державної премії України у галузі науки і техніки. При цьому одна із премій була присуджена за роботу, що подавалася від ОНУ імені І.І. Мечникова (2011р.).
      
 
МННФТЦ видає рейтинговий Міжнародний  науково-технічний журнал “Сенсорна електроніка і мікросистемні технології”, який виходить 4 рази на рік і включений до 3х списків ВАК, а також рейтинговий науково-технічний збірник “Фотоелектроніка” – 1 раз на рік, який також входить до списку ВАК.
 
 

Міжнародне науково-технічне співробітництво МННФТЦ

 
 
 

Основні публікації:

Монографії                                                                                                                    
 
1.     Смынтына В.А. Электронно-молекулярные явления на поверхности полупроводников: пленки селенида и сульфида кадмия //Монографія. Одес. нац. ун-т.-Одесса:Астропринт, 2009.- 368 с.
 
2.     Лепіх Я.І., Ленков С.В., Мокрицький В.А. та ін. Напівпровідникові опто- і акустоелектронні сенсорні системи.//Монографія. Одеса, Астропринт 2009.- 320 с.
 
3.     Лепіх Я.І., Гордієнко Ю.О., Дзядевич С.В. та ін. Створення мікроелектронних датчиків нового покоління для інтелектуальних систем // Монограф. за редакц. Я.І. Лепіха.- Одеса.-Астропринт.- 2010.-289 с.
 
4.     Лепіх Я.І., Гордієнко Ю.О., Дзядевич С.В. та ін. Інтелектуальні вимірювальні системи на основі мікроелектронних датчиків нового покоління // Монографія, Одеса: Астропринт.-2011.- 352 с.
 
5.     И. Яцунский, О. Кулинич, В.А. Сминтина. Влияние окисления на дефектообразование в легированном кремнии // Монография.- LAP Lambert Academic Publishing.- 2011.- 188 с.
 
6.     Electron and Molecular Phenomena on the Surface of Semiconductors / Valentyn Smyntyna // Nova Publishers. – New York. – 2013. – 208 P.
 
7.      Semiconductor Materials for Gas Sensors / Valentyn Smyntyna // Nova Publishers. – New York. –2013. – 195 P.
 
Підручники
 
1.          Сминтина В.А. Фізико-хімічні явища на поверхні твердих тіл. Підручник для студентів вузів. – Одеса.Астропринт. – 2009. – 192 с.
 
2.          В.А.Сминтина, Ю.Ф. Ваксман.  Курс загальної фізики. Оптика : підручник у 6 т. / за загал. ред. В.А. Сминтини. Т 4 : В.А.Сминтина, Ю.Ф. Ваксман. – Одеса : Астропринт, 2012. – 276 с.
 
Навчальні посібники
 
1.   Лепіх Я.І. Елемени теорії поля і векторного аналізу // Навчальний посібник.-Одеса: ОНМА.- 2009.-48 с.
 
2. Фізика. Конспект лекцій (з компакт-диском). Навчальне видання. Укладачі: канд. фіз.-мат. наук, доцент В.С. Гріневич, ст. викладач Л.М. Філевська. Під редакцією д.ф.-м.н., проф. В.А. Сминтини. Одеса. Редакційно-видавничий центр Одеського національного університету імені І.І. Мечникова. 2009.- 292 с.
 
3.  Я.І. Лепіх В.М. Кошевий, А.О. Карпенко. Теорія радіолокаційних та радіонавігаційних систем// Практикум з виконання лабораторних робіт// Одеса. ОНМА.- 2010.- 30 с.
 
    Довідники
 
1. Лепіх Я.І., Гордієнко Ю.О., Дзядевич С.В., та ін. Мікроелектронні датчики нового покоління для інтелектуальних систем. Основні технічні характеристики  // Довідник. Одеса: Астропринт.-2011.-92 с.
 
Статті
 
Загалом за останні 5 років опубліковано біля 200 статей. Основні з них:          
 
1.  Ya.I. Lepikh, A.V. Glushkov, P.A. Kondratenkoetc. Electrodinamical and Quantum-Chemical Approaches to Modeling the Electrochemical and Catalytic Processes on Metals, Metal alloys and Semiconductors / International Journal of Quantum Chemistry. 2009.-Vol.109.-№14.-P.3473-3481.
 
2. V.A. Smyntyna, O.V. Sviridova. Genesis of initial defects in the process of mono-crystalline silicon oxidation with subsequent scribing // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2010. – Vol. 13, № 1. – P. 74 – 78.
 
3. Борщак В.А. Зависимость проводимости освещенного неидеального гетероперехода от внешнего смещения/ Борщак В.А., Смынтына В.А., Бритавский Е.В., Балабан А.П., Затовская Н.П.// ФТП.- 2011.- Т. 45.- Вып. 7.- С. 922-927.
 
4.     Lepikh Ya.I., Ivanchenko I.A., Budiyanskaya L.M. Application of Optics-Geometrical Method in Short Range Optical Radar. // Radioelectronics and Communicatioh Systems, 2012, Vol.55, №2, pp.82-88, Allerton Press, Inc., 2012, DOI:10.3103/S0735272712020045, Springer Link2012, Plenum Publishing Corporation.
 
5. Lepikh Ya.I., Ivanchenko I.A., Budiyanskaya L.M. Stripline-type photodetector based on the narrow-gap ternary compound Hg1?xCd x Te for the far IR region. //Journal of Engineering Physics and Thermophysics,DOI:10.1007/s10891-013-0825-z, SpringerLink2013. 
 
6.     Borschak V.A., Brytavskyi Ie.V., Smyntyna V.A., Lepikh Ya.I., Balaban, A.P., Zatovskaya N.P. Influence of internal parameters on the signal value in optical sensor based on the non-ideal heterostructure CdS-Cu2S /Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, V.15, N 1. pp. 41-43.
 
7.  Иванченко И.А., Лепіх Я.І., Будиянская Л.М. Применение оптико-геометрического метода в ближней оптической локации // Изв. ВУЗов, Радиоэлектроника.-2012.-55, № 2.-С. 42-49.
 
8.  Viter R.V., Geveluk S.A., Smyntyna V.A., etc. Optical properties of nanoporous glass filled with TiO2 nanostructures // Optica Applicata. – 2012. – XLІI, No.2. – pp. 307-313.
 
9. В.А. Шкаберин, В.И. Аверченков, Я.И. Лепих, Ю.В. Крышнев. Разработка принципов создания автоматизированной системы противопаводкового мониторинга уровня воды в открытых волоемах // Весник Брянского гос.техн.ун-та, № 4, 2013, С.9-14.
 
10.  Ya.I. Lepikh, V.A. Smyntyna, V.F. Machulin.  Investigations and achievements in sensorics area in 2008 // Sensor electronics and microsystem technologies.- 2009.-№3.-P.5-9.
 
11.  Lepikh Ya.I, A.V. Glushkov, A.P.Fedchuk, A.V. Lobodа.The green’s functions and density functional approach to vibrational structure in the photoelectron spectra of molecules / Photoelectronics, 2009, №18, P.119-127.
 
12.  Лепих Я.І., Карпенко А.О., Снегур П.О. Рупорный излучатель СВЧ электромагнитных волн с криволинейной формой образующих в качестве облучателя параболической антенны / Радиоелектроніка та інформатика.-2009.- №4.- С. 17-19.
 
13.  V.A. Borschak, M.I. Kutalova, N.P. Zatovskaya, A.P.  etc. Dependence of conductivity space-charge region nonideal heterojunction on conditions of photoexcitation - Photoelectronics.- 2009.-№18.- pp. 33-35.
 
14.  Лепіх Я.І., В.В. Семенов, В.Г. Гриць та ін. Лазерна установка для вимірювання параметрів акустичного поля на поверхні акустопроводів // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології.- 2010.-Т.1(7).-С.63-67.
 
15.  Лепіх Я.І., Мельник В.Г., Онищенко І.В. та ін. Підвищення швидкодії моніторингових сенсорних систем зі складною обробкою даних // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології.- 2010.-Т.1(7).-№3.-С.81-86.
 
16.  Лепіх Я.І., Лєнков С.В., Мельник В.Г., Дзядевич С.В. Мікроелектронні датчики для інформаційних  (інтелектуальних) систем спеціального призначення // Наука і оборона.- №3.- 2010.-С.54-55.
 
17.  Ленков С.В., Лепих Я.И., Дружинин А.А. Детекторы ионизирующих излучений для систем радиационной безопасности // Сучасна спеціальна техніка №2(21).- 2010.-С. 86-99.
 
18.  R. Viter, V. Smyntyna, I. Konup, I. Lydina, J. Puustinen, J. Lappalainen, V. Ivanitsa. Investigation of optical properties of tin oxide-porphyrin structures for optical sensors application // Photoelectronics № 19, Odessa, Astroprint , 2010. – Pp. 9-13.
 
19.  V.A. Smyntyna, O. A. Kulinich, I. R. Yatsunskiy, I. A. Marchuk / Factors influencing the yield stress of silicon // Photoelectronics № 19, Odessa, Astroprint, 2010. – Pp. 120-124.
 
20.  Лепіх Я.І. Нобелівська премія з фізики і перспективи використання графену в сенсориці // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології.- 2011.-Т.2(8).-№1.-С.5-9.
 
21.  Мельник В.Г., Лепіх Я.І., Лєнков С.В., Романов В.О., Проценко В.О. Інтелектуальні вимірювальні канали // Наука і оборона, №2.-2011.- С. 36-43.
 
22.  Я.И. Лепих, В.Г. Мельник, С.В. Дзядевич, А.В. и др. Экспериментальные исследования микроэлектронных датчиков для кондуктометрических биосенсорных систем // SensorelectronicsandMicrosystemTechnologies. 2011.-Т.2(8),    № 3.-С. 81-90.
 
23.   І.Б. Галелюка, Я.І. Лепіх, С.В. Дзядевич та ін. Інформаційне забезпечення віртуальної лабораторії автоматизованого проектування приладів та інтелектуальних систем // Sensor electronics and Microsystem Technologies. 2011.-Т.2(8),    № 3.-С. 91- 96.
 
24.   Лепіх Я.І., Гордієнко Ю.О., Дзядевич С.В. та ін. Мікроелектронні датчики нового покоління для інтелектуальних систем // Винахідник і раціоналізатор,  № 3-4, 2011.- С.31-35.
 
25.  Ю. О. Гордієнко, С. Ю. Ларкін, Я. І. Лепіх,  та ін.Теоретичні аспекти моделювання та проектування резонаторних зондів для скануючої мікрохвильової мікроскопії.//Sensor electronics and Microsystem Technologies. Т.2(8).-3/2011.-С. 97-107.
 
26.  Borschak V.A. Application of a sensor on the heterojunction CdS-Cu2S basis // Photoelectronics.- 2012.- №21.- P.75-78.
 
27.  V.S. Grinevych, V.A. Smyntyna, L.M. Filevska. Influence of a precursor properties on the surface morphology of nanoscale tin dioxide films. Photoelectronics. Odessa. 21 (2012).-С.13-17.
 
28.  Лепіх Я.І., Іванченко, Л.М. Будіянська.Властивості надтонких плівок гетероструктур р(Pb1-xSnxSe)-n(CdSe) з в дальній ІЧ- області спектру // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології.- 2012.-Т.3(9).-№3.-С.25-30.
 
29.   Борщак В.А. Зависимость проводимости освещенного неидеального гетероперехода от внешнего смещения/ Борщак В.А., Смынтына В.А., Бритавский Е.В., Балабан А.П., Затовская Н.П.// ФТП.- 2011.- Т. 45.- Вып. 7.- С. 922-927.
 
30.  Лепіх Я., Мачулін В., Литовченко В. та ін. Сенсорика – перспективний напрям розвитку сучасних інтелектуальних інформаційних систем // Вісник НАН України, 2010, №11.- С. 27-29.
 
31.  В.С. Гриневич, Л.С. Максименко, И.Е. Матяш и др.  Поляризационные характеристики поверхноcтного плазмонного резонанса в нанокластерных пленках SnO2. // ФТП, 2011, Т. 45, № 11.- С.1525-1532.
 
32.  Lepikh Ya.I., Ivanchenko I.A., Budiyanskaya L.M. Stripline-type photodetector based on the narrow-gap ternary compound Hg1?x Cd x Te for the far IR region. // Journal of Engineering Physics and Thermophysics, DOI:10.1007/s10891-013-0825-z, Springer Link 2013. 
 
33.  Borschak V.A., Brytavskyi Ie.V., Smyntyna V.A. etc. Influence of internal parameters on the signal value in optical sensor based on the non-ideal heterostructure CdS-Cu2S //Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, V.15, N 1. P. 41-43.
 
34.  Ya.I. Lepikh, I.A. Ivanchenko, L.M. Budiyanskaya.  Application of Optics-Geometrical Method in Short-Range Optical Radar // Radioelectronics and Communications Systems,  Alerton. Press. Ins. 2012, Vol. 55. No, 2, P. 82-88
 
35.  Viter R.V., Geveluk S.A., Smyntyna V.A. etc.  Optical properties of nanoporous glass filled with TiO2 nanostructures // Optica Applicata. – 2012. – XLІI, No.2. – P. 307-313. 
 
36.  Lepikh Ya.I., A.I. Ivanchenko, L.M. Budiyanskaya. Stripline-tipe photodetector based on the nerrow-gap ternary compounds  Hg1-xCdxTe for the far IR region // Journal of engineering Physics and Thermophysics, January, 2013, Vol. 86, No. 1.-Р.242-247.
 
37.  I.A. Kravchenko, Lepikh Ya.I., A.A. Kabernik etc. Anti-inflammatory action of therapeutic and low-frequency ultrasound on the inflammatory process model on rates // ISSN 0006-3509, Biophysics, 2013, Vol. 58, No. 3, pp. 423-427.
 
38.  V.A. Borschak, V.A. Smyntyna, Ie.V. Brytavskyi etc. External-Bias Dependence of the Conductivity of an Illuminated Nonideal Heterojunction// Physics of semiconductor devices, 2013, Vol. 47, №6, pp. 838-843.
 
39.  Mihailova, V. Gerbreders, E. Tamanis, E. Sledevskis, R. Viter, P. Sarajevs, Synthesis of ZnO nanoneedles by thermal oxidation of Zn thin films // Journal of Non-Crystalline Solids, 377, 212-216 (2013).
 
40.  Лепіх Я.І., Сантоній В.І., Будіянська Л.М. Багатопараметричні сенсори контролю щільності матеріалу для автоматичних систем управління // Вісник Київського нац. ун-ту технологій та дизайну, Тематичний випуск № 3, 2013, С.  62-65.
 
41.  Лепих Я.И., Лавренова Т.И., Бугайова Т.Н. Структурно-фазовые превращения на границе раздела «стекло-кластеры» Ag-Pd– Sn-Pb// Вісник Київського нац. ун-ту технологій та дизайну, Тематичний випуск № 3, 2013, С. 126-129.
 
42.  V.A. Smyntyna, L.M. Filevska, O.V. Sviridova. Topological features of the tin dioxide films obtained from the Bis(acetylacetonato)dichlorotin complexes // Photoelectronics. Odessa.№ 22 (2013).-C. 112-116.
 
43.   V.A. Borschak, V.A. Smyntyna, S.V. Zubritskiy, Ie.V. Brytavskyi, M.I. Kutalova, Ya.I. Lepikh. Microstructural features and componential analysis of thin film CdS-Cu2S photosensing structures as element of image sensor // Photoelectronics.- 2013.- №22.-С. 98-102.
 
44.  A.P. Fedchuk, A.V. Glushkov, Ya.I. Lepikh, L. Lovett, A.V. Ignatenko. Stark effect and resonances in the ionization continuum for excitons in quantum dots and atoms in an electric field // Photoelectronics.- 2013.- №22.-С. 72-77.
 
 
 
Наші координати:
 
Одеський національний університет імені І.І. Мечникова, МННФТЦ,
 
вул. Дворянська, 2, Одеса, 65082, Україна.
 
E-mail:  ndl_lepikh@onu.edu.ua
 
тел./ф 38-048-723-34-61 Лепіх Я.І.
НАГОРУ