Информация обновлена 17.09.2015

Научно-исследовательская лаборатория "Сенсорная электроника и надежность электронной техники" (НИЛ - 9)

Научно-исследовательская лаборатория сенсорной электроники создана в 1992 году. За время существования выполнено более, чем 12 научно-исследовательских проектов в отрасли физики полупроводников, физической электроники, датчиков, проблем, связанных с надежностью изделий электронной техники. Научный состав лаборатории – всего 12 сотрудников, в частности, 2 доктора наук, 3 кандидата наук, 2 научных сотрудника.

Направления научной деятельности

• Физика полупроводников, физическая электроника, сенсорная электроника.
• Структурно-фазовые превращения в композиционных материалах.
• Физические характеристики и информационные структуры световых пучков.

Основные научные результаты

• Создана концепция физических механизмов протекания токов в полупроводниковых структурах в условиях инжекционного введения неравновесных носителей заряда (электронов и дырок) в объем материала (научный руководитель проф. Ш.Д. Курмашев).
• Разработана концепция физических механизмов влияния морфологии и размеров микро- и наночастиц исходных материалов на электрофизические свойства систем "стекло-RuO2, Bi2Ru2O7 " (научный руководитель проф. Ш.Д. Курмашев).
• Обоснована система параметров поперечной циркуляции энергии световых в пучках с орбитальным угловым моментом (научный руководитель докт. физ.-мат. наук А.Я. Бекшаев)

Международное научно-техническое сотрудничество:

• Ополевский университет (г. Ополе, Польша).
• Лаборатория лазерной техники и лазерных излучений рурского университета (г. Бохум, Германия).
• Центр Микроанализа Антверпенского университета (г. Антверпен, Бельгия).
• Институт прикладной физики (г. Москва, Россия).

Основные научные результаты и разработки

• Полученные теоретические и экспериментальные результаты дают возможность создания нового поколения полупроводниковых датчиков. Разработаны модели полупроводниковых диодных структур с инжекционной модуляцией проводимости базы, что позволяет создавать сенсоры с внутренним инжекционным усилением. Чувствительность таких систем в десятки и сотни раз выше, чем у безинжекционных приборов, что отвечает параметрам лучших зарубежных аналогов (научный руководитель проф. Ш.Д. Курмашев). Инжекционные датчики света, магнитного поля, давления могут быть использованы в системах мониторинга и охраны окружающей среды, для ресурсо-сохраняющих технологий в промышленности, в медицине, связи. Патентная возможность результатов работы связана с выявлением средств создания датчиков-сенсоров, чувствительных к действию чрезвычайно слабых внешних факторов (свет, магнитное поле, давление). Среди приоритетных направлений работы – сохранение окружающей среды (окружающая среда), новейшие технологии и ресурсосохраняющие технологии.
• На основании проведенных теоретических и экспериментальных исследований могут быть предложены средства снижения деградационных процессов и методы обеспечения воссоздания электрофизических параметров толстопленочных элементов гибридных интегральных схем (научный руководитель проф. Ш.Д. Курмашев). Впервые предложенные составы флюсов для автоматизированной низкотемпературной пайки токоведущих контактных площадок толстопленочных элементов ГИС. В текущее время получено два положительных решения на выдачу патентов Украины относительно разработанных флюсов. Среди приоритетных направлений – новые вещества и материалы. Разработанные в работе методы, средства и модели можно использовать на предприятиях электронной промышленности Украины для снижения деградационных процессов толстопленочных элементов ГИС и реализации бездефектного производства малогабаритной радиоэлектронной аппаратуры.
• Разработаны эффективные оптические методы и системы кодировки, обработки и передачи информации (научный руководитель докт. физ.-мат. наук А..Я. Бекшаев). Изученные особенности световых пучков с вихревыми свойствами позволяют улучшить характеристики известных и создать новые усовершенствованные методы управления движением микрочастиц, средства их пространственной селекции и локализации, которые имеют перспективу во многих задачах исследования и диагностики одиночных микрообъектов, осуществления селективных физико-химических взаимодействий ("микрореакторы;). Соответствующие технологии могут быть применены в микроэлектронной, химической, фармацевтической, микробиологической отраслях. Среди приоритетных направлений работы – сохранение окружающей среды (окружающая среда), новейшие технологии и ресурсосохраняющие технологии.

Основные научные публикации

• Influence of electron irradiation on characteristics of InSb injection photodiodes // Photoelectronics.- 2006.- N 15.- P. 63-64.
• Методы получения электрохимических сенсоров оксида углерода // Вісник Черкаського ДТУ. – 2006.- № 4.- С.120-121.
• Однопереходный транзистор с инжекционным диодом во входной цепи // Вісник Черкаського ДТУ. – 2006.- № 4.- С.166-168.
• Фотоприемник на основе однопереходного и полевого фототранзисторов // Sensor electronics and microsystem technologies.- 2006.- №4.- с. 28-30.
• Шумовые характеристики инжекционных Ni-n-Si–структур при высоких плотностях тока // Тр. 7-й МНТК “Современные информационные и электроннгые технологии”. Одесса.- 2006.- С. 148.
• Инжекционные фотодиоды //2-я МНТК “Сенсорная электроника и микросистемные технологии”.- Одесса.- 2006.- С. 28-29.
• Получение датчиков на основе пятиокиси ванадия для определения оксида углерода // 2-я МНТК “Сенсорная электроника и микросистемные технологии”.- Одесса.- 2006.- С. 216.
• Зависимость электрофизических параметров композиционных структур стекло - RuO2, (Bi2Ru2O7) от дисперсности компонентов и температурных режимов вжигания // Тез. докл. ХХІІ научн. конф. стран СНГ “Дисперсные системы”. – 18-22 сентября 2006. – Одесса. – с. 211.
• Структурно-фазовые превращения в толстопленочных композиционных структурах на границе раздела керамика – стекло – Ag (Ag-Pd)-Sn-Pb // Тез. докл. ХХІІ научн. конф. стран СНГ “Дисперсные системы”. – 18-22 сентября 2006. – Одесса. – с. 213.
• Влияние кристаллической фазы SiO2 на электрофизические параметры композиционных структур на базе стекло-Bi2Ru2O7 // Тез. докл. ХХІІ научн. конф. стран СНГ “Дисперсные системы”. – 18-22 сентября 2006. – Одесса. – с. 215.
• Структурно-фазовые превращения в токосъемных контактных площадках фотопреобразователей // Тези допов.науково-технічної конф. “Сенсорна електроніка”. – 26-30 червня 2006. – Одеса. –с. 17-19.
• Методы получения электрохимическх сенсоров оксида углерода // Вісник Черкаського ДТУ. – 2006. - №4. – с. 166-168.
• Патент України. Флюс для низькотемпературного паяння. UA 19850 U, 15.01.2007. Бюлл.№ 1, 2007.
• Патент України. Флюс для низькотемпературного паяння. UA 19849 U, 15.01.2007. Бюлл.№ 1, 2007.
• Фізичні та модельні уявлення про гальваномагнітні ефекти в біполярних напівпровідникових структурах // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2006, в.1, С. 9-16.
• Centrifugal transformation of the transverse structure of freely propagating paraxial light beams // Opt. Lett..- 2006.- V.31,N 6.- P. 694-696.
• Описание морфологии оптических вихрей с помощью орбитального углового момента и его компонент // Опт. и спектр..-2006.-Т. 100, в. 6.- С. 986-991.
• Rotational transformations and transverse energy flow in paraxial light beams: linear azimuthons // Opt. Lett..- 2006.- V. 31, N 14.- P. 2199-2201.
• Intensity moments of a laser beam formed by superposition of Hermite-Gaussian modes // http://arxiv.org/abs/physics/0607047, Thu, 6 Jul 2006 06:10:26 GMT.
• Laser analyzer of aerosol particles with monotonic calibration curve // Вісник Одеськ. Нац. Універс.- 2006.- Т. 11, и. 7. Фіз.-мат. науки.
• Spin angular momentum of inhomogeneous and transversely limited light beams // 7th Int. Conf. On Correlation Optics.- Proc. SPIE.- 2006.- V.6254 – P. 56-63.
• Large-scale 3D structure and mechanical properties of rotating light beams // 7th Int. Conf. On Correlation Optics.- Proc. SPIE.- 2006.- V.6254 – P. 44-55.
• Влияние объемной рекомбинации на характеристики газоразрядной плазмы// Вісник Одеськ. Нац. Універс.- 2006.- Т. 11, и. 7. Фіз.-мат. науки.
• Влияние зависимости подвижности ионов от величины электрического поля на параметры положительного столба в узких газоразрядных трубках //Дисперсные системы. XXII научн. Конф. Стран СНГ.- 2006.- Одесса.- С. 240-241.

Почтовый адрес:

1. ул. Говорова, 4,м. Одесса, 65063, Украина.
2. Тел.: 8-(048)-738 64 30
3. e-mail: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.