Научно-исследовательская лаборатория электронных ионных и молекулярных процессов в полупроводниках

Информация обновлена 17.09.2015

Научно-исследовательская лаборатория электронных, ионных и молекулярных процессов на поверхности и в объеме полупроводников (НИЛ-3)

Заведующий доктор физико-математических наук, профессор Лепих Ярослав Ильич

Lepih

НИЛ-3 была образована в 1983 году, научным руководителем которой был профессор В. В. Сердюк. Первым заведующий лаборатории был доктор физико-математических наук Д. Л. Василевский. В данное время в лаборатории работают 10 научных работников, в том числе 1 доктор физико-математических наук, 1 кандидат физико-математических наук

Персональный состав научных сотрудников:
 

  • Лепих Ярослав Ильич - заведующий НИЛ-3, доктор физико-математических наук, профессор
  • Балабан Андрей Петрович -научный сотрудник,
  • Борщак Виталий Анатольевич - старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук,
  • Ветер Роман Витальевич - младший научный сотрудник
  • Затовская Наталия Петровна - научный сотрудник
  • Куталова Мария Ивановна - научный сотрудник
  • Карпенко Андрей Александрович - младший научный сотрудник
  • Снегирь Павел Алексеевич - старший научный сотрудник
  • Филевская Людмила Николаевна - научный сотрудник
  • Хоменко Михаил Владимирович - младший научный сотрудник,

Направления научных исследований:

  • Электронные, ионные и молекулярные процессы в полупроводниковых материалах.
  • Електро-физические и адсорбционные явления в кристаллических диэлектриках и слоистых структурах пьезоелектрик - полупроводник, пьезоелектрик- диэлектрик при распространении поверхностных акустических волн.
  • Фотоэлектрические явления в полупроводниках.
  • Сенсорная электроника и микросистемные технологии.

За 1991 - 2005гг в лаборатории выполнено приблизительно 40 научных проектов. В данное время выполняются три госбюджетные и две хозрасчетных темы. Одна из них выполняется в рамках межотраслевой Программы развития наиболее конкурентно-способных направлений микроэлектроники в Украине, вторая - за поддержки Фонда фундаментальных научных исследований Украины. За последний год сотрудниками лаборатории опубликован более 30 научных работ, взято участие в работе 7 национальных и международных конференций.
На базе лаборатории проведенные "1-ая Украинская научная конференция из физики полупроводников" (с международным участием) УНКФН-1, Одесса, 10-14 сентября 2002 р, и международная научно-техническая конференция "Сенсорная электроника и микросистемные технологии" (СЕМСТ-1), Одесса, 1-5 июня 2004 р.
Всего за время существования лаборатории его сотрудниками сделан свыше 100 докладов на научных конференциях. Разработки НДЛ-3 экспонировались на международных выставках Севит (Ганновер, Германия, 2002г. ), на выставках украинской науки и техники в КНР (Цзинань, КНР, 2003г. ,Чаньчунь, КНР, 2004г. ), Дни украинской науки и техники в Индии (Хайдаробад, 2003г. , Дели, 2004г. ).
На основе исследований, которые велись и ведутся в лаборатории было захищено 9 кандидатских и 3 докторских диссертации. На базе НДЛ выпускаются научно-технический журнал "Сенсорная электроника и микросистемные технологии" и научно-технический сборник "Фотоэлектроника", которые входят в перечень профессиональных изданий ВАК Украины по защите диссертаций. Под управлением сотрудников лаборатории постоянно, каждого года выполняются дипломные и курсовые работы студентов, которые принимают активное участие в научных достижений.
Сотрудники лаборатории принимают участие в выполнении государственной программы по освоению острова Змеиный в части решение проблемы его энергетического обеспечения

Основные результаты фундаментальных исследований за последние годы
На основе тунельно-скачкового механизма Мотта создана модель переноса напряжения в неидеальном гетеропереходе, которая базируется на учете нарушений трансляционной симметрии кристаллических решеток в ОПЗ.
Установленные физические механизмы и закономерности процессов адсорбции-десорбции в слоистых структурах пьезоэлектричество-пленка Ленгмюра-Блоджетт.
Получены и систематизированы новые данные об електро-физических параметрах и акустических характеристиках кристаллических диэлектриков, в том числе пьезоелектриков, для волн Релея
Установленные физические механизмы генерации, распространения и обнаружения поверхностных акустических волн и управление их параметрами в слоистой структуре фоточувствительный полупроводниковых-пьезоелектриков и в селективно поляризованных сегнето-електриках.

Результаты прикладных исследований за последние годы
Разработаны сенсоры оптического и рентгеновского изображений на основе полупроводниковых неидеальных гетероструктур, что преобладают аналоги по ряду параметров
Разработаны сенсоры газов на основе исследованных адсорбцийно-десорбцийных механизмов в слоистых структурах и новых материалах, которые имеют ряд преимуществ перед аналогами за основными метрологическими характеристиками
Разработаны датчики физических величин на основе исследованных акустоелектронних эффектов, которые имеют преимущества перед аналогами, построенными на других физических принципах. Один из таких датчиков (датчик угла поворота ) прошел успешные испытания в КНР на базе Украинско-Китайского технопарка высоких технологий. Предполагается его внедрения у производство
Разработан концентратор солнечной энергии на основе зеркал Френеля, что за основными параметрами преобладает аналоги.
Разработана экологически чистая технология изготовления прецесийных коммутационных плат высокой степени интеграции
Таким образом, научно-исследовательские работы, которые ведутся в НИЛ-3 имеют не только фундаментальную направленность, но и значительную практическую ценность, которая разрешает использовать результаты исследований и разработок НИЛ-3 как в науке, так и в народном хозяйстве

Адрес

ул. Дворянская, 2,Одесса, 65082
Тел. приемной (38-048)723-52-54
Тел./факс (38-048)723-35-15
Email: rector@onu.edu.ua

Наши партнеры

Top