Дойчо Игорь Константинович

Информация обновлена 17.09.2015

Дойчо Игорь Константинович

Дойчо Игорь КонстантиновичДОЙЧО Игорь Константинович, 1953 года рождения, работает в университете с 1974 года (в частности в должности заведующего лабораторией некристаллических сред с сентября 1996 года, предыдущая должность ведущий научный сотрудник этой же лаборатории). Учёная степень – кандидат физико-математических наук, учёное звание – старший научный сотрудник. Им опубликовано свыше 50 научных работ (из которых 3 изобретения), подано около 10 рацпредложений. За период своей научной деятельности Дойчо И.К. был научным руководителем двух хоздоговорных и двух госбюджетных тем Министерства просвещения и науки, ответственным исполнителем трёх хоздоговорных и шести госбюджетных тем. Разработки лаборатории, которой руководит Дойчо И.К., были представлены на Региональной научно-технической выставке вузов г.Одессы „Перспектива XXI”, на выставке „Наука региона” и регулярно представляются на внутриуниверситетских выставках. Основные научные интересы Дойчо И.К. сосредоточены в области физики полупроводников, в частности, в теоретическом моделировании физических явлений в средах с нарушениями дальнего порядка, исследовании пористых кремниесодержащих веществ, методов их создания, их фотолюминесцентных свойств, их радиационной устойчивости и их применении в электронике, приборостроении и медицине. Одним из значимых результатов этих исследований является обнаружение корреляции между спектрами фотолюминесценции пористых силикатных стёкол и особенностями их внутренней структуры. Дойчо И.К. является признанным специалистом в зонной теории кристаллических полупроводников и особенностей кристаллической структуры соединений, важных в электронике, прекрасно владеет современной вычислительной техникой, разнообразными методиками оптических, фотолюминесцентных, пороскопических и электрофизических исследований. Работает над докторской диссертацией. Дойчо И.К. брал участие более чем 25 конференциях, совещаниях, симпозиумах по физики полупроводников, неоднократно докладывал результаты собственных исследований на научных семинарах разного уровня, его доклады вызывали интерес известных специалистов в области физики полупроводников. Дойчо И.К. неоднократно был руководителем курсовых и дипломных работ студентов физического факультета, вёл специальные практикумы, разработал лекционный курс по физике неупорядоченных систем для студентов-физиков производственного отделения, который вёл на протяжении нескольких учебных лет, и лекционный курс по физике пористых сред, который, к сожалению, не вошёл в учебный план факультета. Под руководством Дойчо И.К. налажено научное сотрудничество лаборатории с рядом научно-исследовательских учреждений в пределах Украины и за границей. В частности, это Институт физики НАНУ, Институт полупроводников НАНУ (оба Киев), НИИ глазных болезней и тканевой терапии им.В.П.Филатова (Одесса), Физический институт Вроцлавского политехнического университета (Польша), фирма Tower Semiconductor (Израиль) и другие.

Важнейшие научные работы Дойчо И.К. за период его научной деятельности:

  • Локализованные электронные состояния, связанные с примесью переходного металла в полупроводниках [Localized electron states associated with a trensition-metal impurity in semiconductors // physica status solidi (b). – 1979. – Vol.92. – p.k147-k150.]
  • Выбор между различными локальными псевдопотенциалами для кремния [Selection between various local pseudopotential for Silicon // physica status solidi (b). – 1979. – Vol.93. – p.k131-k134.]
  • Плотность электронных состояний в тройных сплавах, полученная методом кластера с решёткой Бёте [Electronic density of states in ternary alloys using the Cluster-Bethe-Lattice method // physica status solidi (b). – 1979. – Vol.94. – p.k71-k75.]
  • Локальная плотность электронных состояний в полупроводнике с дефектами [Физика и техника полупроводников. – 1980. – т.14, №1. – с.7-12.]
  • Метод определения подвижности ионов на поверхности диэлектрических слоёв [Поверхность: физика, химия, механика. – 1987. – вып.2. – с.145-148.]
  • Механизмы долговременной релаксации инжекционного тока в МНОП-структурах [Микроэлектроника. – 1989. – т.18, № 1. – с.89-94.]
  • Влияние жесткого облучения на свойства солнечных батарей на основе аморфного гидрированного кремния [Фотоэлектроника. – 1997. – вып.6. – стр.41-44.]
  • Электронная структура пористых соединений на основе кремния [Фотоэлектроника. – 1998. – вып.7. – с.42-43.]
  • Полевая зависимость фототока диэлектрика с пул-фенкелевскими ловушками [Фотоэлектроника. – 1998. – вып.7. – с.90-92.]
  • Влияние отжига внедрённого углерода на фотолюминесцентные свойства пористого стекла и пористого кремния [The influence of anneal of incorporated carbon on the photoluminescence properties of porous glass and porous silicon // Polish Ceramic Bulletin 19, Ceramics 57 / Porous and Special Glasses (Proceedings of the 4-th International Seminar PGL'98) / edited by L.Stoch. – Polish Ceramic Society, Krakow:1998. – p.59-64.]
  • Излучательная рекомбинация близких и отдалённых пар в пористом кремнии [Geminate and distant pair radiative recombination in porous silicon // Journal оf Physics: Condenced Matter. – 1999. – Vol.11, No.21. – p.4783-4800.]
  • Структурные и люминесцентные свойства пористого кремния, полученного методом лазерной абляции [Фотоэлектроника. – 1999. – вып.8. – c.18-21.]
  • Относительное изменение линейных размеров пористого стекла во влажной среде [Relative changes of porous glass dimensions in humid ambiance // Journal of Porous Materials. – 2000. – Vol.7. – р.465-467.]
  • Влияние γ-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния, полученного методом электрохимического травления [Фотоэлектроника. – 2000. – вып.9. – с.23-27.]
  • Углеродная обработка как метод развития поверхности пористых стёкол [Carbon treatment as a method of the surface development of the porous glasses // Optica Applicata. – 2000. – Vol.XXX, No.4 – p.635-640.]
  • Линейное удлинение пористого стекла с развитой внутренней поверхностью во влажной среде [Linear extension of porous glasses with modified internal surface in humid environment // Optica Applicata. – 2000. – Vol.XXX, No.4 – p.605-611.]
  • Влияние -облучения на фотолюминесценцию пористого германия, полученного электроискровой обработкой [Influence of a -irradiation on photoluminescence of porous germanium obtained by treatment in an electric spark discharge // Фотоэлектроника. – 2001. – вып.10. – c.91-94.]
  • Зависимость линейных размеров пористых золь-гелевого и силикатного стекла от влажности [Humidity dependencies of porous sol-gel and silica glass linear sizes // Material Science. – 2002. – Vol.20,No.2. – p.23-27.]
  • Регулирование фотолюминесцентных свойств пористого кремния изменением параметров процесса анодизации [Фотоэлектроника. – 2002. – вып.11. – с.70-72.]
  • Влияние углеродной мультиобработки на фотоэлектрические свойства пористых стёкол [Influence of carbon multiprocessing on the photoelectrical properties of porous glasses // Radiation Effects and Defects in Solids. – 2003. – Vol.158, No.1-6. – p.427-432.]
  • Влияние γ-облучения малыми дозами на фотолюминесцентные свойства пористых стёкол разного типа [Small doses γ-irradiation effect on the photoluminescence properties of various kind porous glasses // Optica Applicata. – 2003. – Vol.XXXIIІ, No.1 – p.55-60.]
  • Влияние антибиотика hentamicini sulphate на фотолюминесцентные свойства силикатных пористых стёкол, применимых для офтальмологического протезирования [Antibiotic hentamicini sulphate effect on photoluminescent properties of the silicate porous glasses, which are suitable for ophthalmologic protesting// Optica Applicata. – 2003. – Vol.XXXIIІ, No.1 – p.34-39.]
  • Влияние обработки в KNO3 на адсорбционные свойства силикатных пористых стёкол [Effect of potassium nitrate treatment on the adsorption properties of silica porous glasses // Journal of Non-Crystaline Solids. – 2004. – Vol.345-346. – p.260-264.]
  • Применение пористых стёкол в офтальмологическом протезировании [Application of Porous Glasses in Ophthalmic Prosthetic Repair // Journal of Porous Materials. – 2004. – Vol.11. – p.21-29.]
  • Влияние кристаллографической ориентации подложки на фотолюминесцентные свойства пористого кремния [Substrate crystallographic orientation effect on photoluminescent properties of porous silicon // Фотоэлектроника. – 2005. – вып.14. – с.73-76.]
  • Интерферометрический метод исследования морфологии внутренней поверхности пористого стекла [An interferometric method of inner surface morphology investigation in porous glass // Фотоэлектроника. – 2005. – вып.14. – с.101-104.]

Адрес

ул. Дворянская, 2,Одесса, 65082
Телефон приемной ректора:
(38-048)723-52-54
Тел./факс (38-048)723-35-15
Email: rector@onu.edu.ua

 

Наши партнеры

Міністерство Освіти і Науки УкраїниУрядовий контактний центр

Top