История НДЛ-11

Информация обновлена 17.09.2015

История НИЛ-11

В начале 70-х годов прошлого столетия на недавно основанной известным специалистом по физике полупроводников проф. В.А.Пресновым кафедре физической электроники успешно работала научно-исследовательская группа. Профессор Преснов раньше руководил большим электронным предприятием ВПК в городе Томске, так что главным научным направлением новой кафедры стало комплексное изучение полупроводников. Кафедральная научно-исследовательская группа под руководством молодого тогда доцента В.К.Баженова выполняла хоздоговорные работы для ряда закрытых предприятий гг. Москвы и Зеленограда. Выполнялись исследования электронных свойств полупроводников и диэлектриков со сложной кристаллической структурой, изучалось влияние дефектов и неупорядоченности на свойства, важные для применения этих веществ в электронной промышленности. По результатам исследований были защищены кандидатские диссертации научными сотрудниками М.Г.Фойгелем, В.В.Тимофеенко, В.И.Солошенко, А.Г.Петуховым, Ю.К.Марколенко, И.К.Дойчо, В.Я.Альтшулем; були подготовлены кандидаты наук для Сирии, Египта, Болгарии, Алжира, Туниса. В начале 80-х годов доцент В.К.Баженов защитил докторскую диссертацию и переехал в город Херсон, где возглавил кафедру общей физики в педагогическом институте, М.Г.Фойгель, А.Г.Петухов и В.Я.Альтшуль перешли на работу в НИИ физики, В.В.Тимофеенко и Ю.К.Марколенко ушли на преподавательскую работу в Одесский электротехнический институт связи. В.И.Солошенко несколько раньше стал доцентом кафедры физической электроники и начал совмещать научно-исследовательскую работу с преподавательской деятельностью. Кафедральная научно-исследовательская группа была усилена программистом к.ф.-м.н. В.А.Воробьёвой и кандидатом физико-математических наук Я.О.Ройзиным, который приехал из ИФП СО АН СССР (г. Новосибирск). Я.О.Ройзин привёз с собой ряд новых методик исследования МДП-структур и тонких плёнок, а также оборудование, необходимое для выполнения этих исследований. Были выполнены хоздоговорные работы как для традиционных научных партнёров из Москвы и Зеленограда, так и для одесских НИИ «Шторм» и «Темп». Работы были посвящены приборостроению и внедрению новых вольт-фарадных методик исследования тонких плёнок нитрида кремния на предприятиях-заказчиках.

С 1985 г. кафедру физэлектроники возглавил проф. Н.П. Коваленко, и начало развиваться новое научное направление – изучение физических свойств некристаллических веществ: аморфных полупроводников и диэлектриков, металлических стёкол. В 1985 г. при реорганизации НИЧ Одесского госуниверситета из созданной 15 лет назад профессором Пресновым отраслевой научно-исследовательской лаборатории физических основ электронной техники (ФОЭТ) выделилась новая структурная единица – лаборатория проблем качества и надёжности элементов радиоэлектронной аппаратуры (руководитель О.П.Канчуковский), и кафедральная научно-исследовательская группа была включена в неё на правах научно-исследовательского сектора некристаллических систем микроэлектроники, который возглавил Я.О.Ройзин. В лаборатории разрабатывались физические основы и технология изготовления нового поколения первичных преобразователей физических величин как элементной базы приборостроения и микроэлектроники, а также различных оптико-электронных систем для отображения и обработки информации.

Сектор некристаллических систем микроэлектроники сохранил некоторую автономность и тесную связь с кафедрой физэлектроники. В 1987 г. лаборатория проблем качества и надёжности элементов радиоэлектронной аппаратуры была преобразована в СКТБ "Контакт", и сектор некристаллических систем микроэлектроники был существенно усилен большой группой специалистов высшей квалификации, которые перешли из НИИ физики. Это были проф. М.Г.Фойгель, защитивший к тому моменту докторскую диссертацию, кандидаты физико-математических наук Л.Е.Стыс, А.Г.Петухов, Б.С.Вакаров, Л.В.Цыбесков, А.С.Шевелёва, В.П.Кушнир и несколько сотрудников без научной степени. В 1989 году по инициативе Н.П.Коваленко сектор был преобразован в лабораторию некристаллических систем электроники (НИЛ-11), которую возглавил к.ф. м.н. Я.О.Ройзин. В штат лаборатории были включены два специалиста-оптика: известный голографист к.ф.-м.н. А.В.Алексеев-Попов и экспериментатор высокой квалификации С.А.Гевелюк. В лаборатории НИЛ-11 и на кафедре физики твёрдого тела и твердотельной электроники (до 1992 г. – кафедра физической электроники) сложилось удачное сочетание тематик и специалистов в области физики некристаллического состояния конденсированных сред. Традиционные для физического факультета теоретические и экспериментальные исследования в области физики жидкостей (Н.П. Коваленко) были расширены работами в области некристаллических полупроводников на основе кремния (Я.О. Ройзин). В 70 тые годы вследствие множества выдающихся научных, технологических и экспериментальных достижений аморфные полупроводники привлекли к себе внимание как к особому разделу физики твёрдого тела. Возможность создавать тонкие плёнки большой площади в сочетании с электронными свойствами этих материалов, имеющим практическую ценность, открыла аморфным полупроводникам дорогу в различные отрасли техники. Это касается, прежде всего, тех приборов и устройств, в которых большие площади поверхности являются обязательным условием, например, в солнечных батареях, а также в системах передачи и воспроизведения изображений (светочувствительные экраны, электрофотографические устройства). Применение аморфных металлических сплавов основано на их высокой мощности и коррозионной устойчивостью, износоустойчивостью, пластичностью и т.д.

За сравнительно короткий срок сотрудники обновлённой кафедры и лаборатории НИЛ-11 получили ряд фундаментальных и прикладных результатов, имеющих принципиальное значение как для физики твёрдого тела, так и для практических применений. Проанализированы физические процессы, определяющие стабильность и надёжность приборов твердотельной электроники, использующих аморфные полупроводники и диэлектрические слои. Разработаны уникальные системы для контроля параметров твердотельных структур, в частности, сканирующие системы для контроля однородности, использующие сканирующие и лазерные зонды малых размеров, голограммные оптические элементы и оригинальные электроизмерительные приборы. Осуществлены комплексные исследования в области физики солнечных батарей на основе аморфного гидрированного кремния, являющихся одним из наиболее перспективных экологически чистых и экономичных источников электроэнергии. Были выполнены хоздоговорные работы по изготовлению эффективных солнечных элементов из аморфного гидрированного кремния на гибких подложках из аморфных металлов. Под руководством доктора медицинских наук профессора В.В.Тринчука, перешедшего на работу в лабораторию из НИИ глазных болезней им. В.П.Филатова, были начаты исследования применимости разработанных в лаборатории методик при офтальмологической диагностике. Заведующий НИЛ-11 Я.О.Ройзин защитил докторскую диссертацию и стал профессором. Сотрудники лаборатории В.С.Василенко, В.Н.Свиридов и С.А.Гевелюк защитили кандидатские диссертации; были подготовлены кандидаты наук для Вьетнама, Ирака, КНДР.

После обретения Украиной независимости облегчились международные контакты лаборатории. Сложилось тесное партнёрство с Институтом физики Вроцлавского политехнического университета. Это расширило круг научных интересов лаборатории на пористые системы с губчатой структурой. Польские партнёры безвозмездно поставляли образцы пористых стёкол для исследований, что позволило лаборатории стать одной из ведущих в стране по изучению как пористых стёкол, так и других пористых соединений на основе кремния. Трудности финансирования стимулировали также волну эмиграции, и на протяжении 4-х лет М.Г.Фойгель, Л.Е.Стыс, А.С.Шевелёва, А.Г.Петухов, Л.В.Цыбесков и А.В.Алексеев-Попов переехали на работу в США и сейчас являются ведущими специалистами в своих учреждениях. В.В.Тринчук занялся медицинской практикой в Объединённых Арабских Эмиратах. В 1996 году заведующий лабораторией проф. Я.О.Ройзин уехал работать в должности главного инженера компании Tower Semiconductor Ltd. (Израиль) и лабораторию возглавил кандидат физико-математических наук Дойчо И.К. Это известный специалист в области зонной теории и структурных свойств твёрдых тел. Сейчас лаборатория выполняет научные исследования по заказу Министерства науки и просвещения Украины, которые финансируются из госбюджета. В рамках этих исследований разработаны оригинальные полупроводниковые датчики для использования в системах экологического контроля, в различных разделах экспериментальной физики и медицины, в частности датчики влажности, акустоэлектронные преобразователи, электрохромные индикаторы, датчики водорода, импедансометрические датчики для применения в медицинской диагностике и т.д.

Обнаружены новые фундаментальные закономерности в аморфных твёрдых телах. Показана принципиальная роль микропор и кремниевых кластеров в протекании физических процессов в аморфных материалах на основе кремния. Обнаруженные закономерности стимулировали комплексные исследования низкоразмерных пористых систем с губчатой структурой. Сотрудникам лаборатории удалось с новой неожиданной стороны подойти к проблемам одного из самых перспективных материалов твердотельной электроники – пористого кремния. Оптоэлектронные устройства на его основе отличаются совместимостью со стандартными технологиями кремниевой микроэлектроники. При выполнении этих работ были получены принципиально новые материалы – пористые кварцевые стёкла с включениями. Фрактальная природа этих систем, мезоскопические эффекты, проявляющиеся при измерениях, а также эффекты самоорганизации, регистрирующиеся в некоторых случаях, делают их очень интересными для фундаментальных исследований материалами твердотельной электроники.

В конце 2002 года руководитель научного направления лаборатории профессор Н.П.Коваленко уволился из университета и научным руководителем НИЛ-11 стал проф. В.Т.Мак, специалист в области радиационной устойчивости полупроводниковых материалов. Под руководством профессора Мака выполняются исследования радиационной устойчивости пористых веществ, влияния облучения малыми дозами на структурные и люминесцентные свойства пористых полупроводников и стёкол и на эволюцию этих свойств при хранении. Изучается роль кристаллической ориентации кремниевой пластины на механические и фотолюминесцентные свойства созданного на ней пористого слоя. Изучается влияние влажности окружающей среды на линейные размеры пористых образцов с использованием оригинальной интерферометрической методики, разработанной в лаборатории. Применение пороскопической методики исследования распределения пор по размерам позволяет более детально проследить морфологию внутренней поверхности пористых сред. Изучается применимость пористых стёкол в глазном протезировании.

Устройства и системы, разработанные в НИЛ-11, защищены более чем 20 авторскими свидетельствами и патентами. Сотрудники лаборатории опубликовали свыше 200 статей в международно-признанных изданиях. Результаты работ неоднократно докладывались как в Украине (и бывшем СССР), так и на международных конференциях и симпозиумах во многих странах, где получили высокую оценку специалистов и бизнесменов. С 1998 года разработки лаборатории регулярно участвуют в выставках различного уровня.

Лаборатория поддерживает непосредственные научные контакты со многими ведущими центрами в Украине и за её пределами по вышеуказанной тематике. Наиболее плодотворно сотрудничество с Институтом Физики НАН Украины, Институтом Ядерных исследований НАН Украины, Институтом Полупроводников НАН Украины, Вроцлавским политехническим университетом (Польша); существенную техническую поддержку оказывают Tower Semiconductor Ltd. (г.Афула, Израиль), Иерусалимский и Бэер-Шевский университеты (Израиль).
Лаборатория активно участвует в учебном процессе. Результаты научных разработок внедряются в виде усовершенствования лекционных курсов и практических занятий. Силами сотрудников лаборатории все годы её существования обеспечиваются лекционные курсы и специальные практикумы на физическом факультете. В разные годы преподавательской деятельностью занимались и занимаются проф. Я.О.Ройзин, проф. М.Г.Фойгель, доц. В.П.Кушнир, доц. И.К.Дойчо, доц. С.А.Гевелюк, доц. В.С.Василенко, к.ф.м.н. В.О.Воробьёва. Сотрудники лаборатории постоянно руководят аспирантами, курсовыми и дипломными работами студентов кафедры, а также производственной практикой.

Адрес

ул. Дворянская, 2,Одесса, 65082
Тел. приемной (38-048)723-52-54
Тел./факс (38-048)723-35-15
Email: rector@onu.edu.ua

Наши партнеры

title_5a115c528ab1b17526992001511087186
title_5a115c528ac3411796534321511087186
title_5a115c528ad4d577794281511087186
title_5a115c528ae6217139195601511087186
Top